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公开(公告)号：CN117000718A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210460734.2
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于清洗设备技术领域，具体涉及一种石英管清洗设备。本申请中的石英管清洗设备包括机体、安装座和至少一个供给管，安装座设于机体内，供给管包括第一管部和第二管部，第二管部与安装座相连，第一管部套设于第二管部的内部，第一管部能够在压力作用下沿第二管部的轴向方向运动，第一管部设有至少一个第一喷孔，且第一喷孔与第一管部的轴向方向成角度设置。根据本申请中的石英管清洗设备，能够有效地对石英管的内壁面进行清洗，同时使石英管的内壁面各位置的清洁度保持一致。
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公开(公告)号：CN114824083A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110124659.8
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：衬底；层间介质层，位于衬底上；所述层间介质层上具有接触孔，接触孔内具有存储节点接触插塞；多个柱状电容，位于所述层间介质层上；其中，所述柱状电容包括：下电极，为具有底部的筒形，所述底部与存储节点接触插塞电连接；介质层，覆盖所述下电极的外侧壁以及顶端；上电极，位于所述介质层外侧；其中，所述柱状电容还包括柱体，填充在所述下电极的筒形空腔内，所述柱体由介电薄膜形成。本发明通过采用介电薄膜形成柱体，使得本发明制成的半导体器件的性能得到改善，具有良好的防漏电特性。
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公开(公告)号：CN114743954A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110019371.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种电容结构、DRAM及其制造方法。一种电容结构，所述电容为圆筒形结构，包括下电极和上电极，以及隔离所述下电极和所述上电极的电容介质膜；所述下电极和所述上电极中的至少一个包括等离子处理的金属氮化物层，且所述等离子处理的金属氮化物层位于与所述介质膜接触的一侧等离子处理。本发明能改善电极的光滑度、降低电极拉应力，有效降低电容的漏电问题，适宜更微型化尺寸的器件制作。
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公开(公告)号：CN114695542A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011567045.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及栅极的制作方法。一种半导体结构包括：半导体衬底有源区设有栅极，栅极由栅介质层、第一多晶硅层、第二多晶硅层、金属层依次堆叠而成，并且第二多晶硅层掺杂有碳和锗。栅极的制作方法包括：在半导体衬底上形成浅槽隔离，然后沉积栅介质层；在第栅介质层表面沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层的表面沉积第二多晶硅层，并向第二多晶硅层掺杂碳和锗；然后依次进行第二多晶硅层的N型或P型掺杂、沉积金属层和盖层，经过光刻和刻蚀形成栅极。本发明达到的效果是：细化栅极多晶硅晶粒，降低机械应力；降低漏电现象，提高栅极层间接合稳定性。
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公开(公告)号：CN114678283A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011568032.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/62 , H01L23/64 , H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器电解质膜的制备方法，包括以下步骤：在电容器下部电极上淀积电解质膜；降低反应室内的压强；对所述电解质膜进行至少一次再处理，所述再处理包括反应前驱体处理和/或氧化处理，所述反应前驱体处理包括：向反应室内供应电解质膜的前驱体，然后进行吹扫。本申请依次对电解质膜进行若干次处理工艺以及远程等离子体处理，解决了电解质膜的厚度不均匀以及改善了电解质膜表面的Zr空位、O空位的问题，提升了电解质膜的击穿电压，进而降低了电容器漏电发生的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114657643A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011549164.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶片处理设备。本申请的晶片处理设备包括反应室、连通管和挡板，连通管设于反应室的外部，用于连通反应室的内部与真空抽气装置，挡板设于连通管的内部，用于对流经连通管的部分气流进行遮挡，挡板上设有至少一个贯穿挡板的通气口。根据本申请的晶片处理设备，通过在挡板上设置通气口并通过挡板对流经连通管的部分气流进行遮挡，能够有效地减少抽气过程中的气流流量，从而减少反应室内反应气体的充入量，增加反应气体在反应室内的停留时间，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114657540A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011551936.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。
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公开(公告)号：CN114628272A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011436090.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种用于半导体制造的气体输送管路以及扩散炉，涉及半导体技术领域，包括：相互连接的气体输送段和气体扩散段，所述气体扩散段上开设有多个喷射孔，所述喷射孔为棱形孔，气体自所述气体输送段输送至所述气体扩散段，所述喷射孔以雾态形式向外喷射所述气体。在上述技术方案中，棱形孔能够在喷射气体时调整喷射的角度，使气体从棱形孔内喷射出时，各个角度更为均匀，使喷射角度最佳化。因此，当气体粒子落在晶圆上时，也能够保持各个区域的厚度一致，从而提高晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN114613692A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011424691.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体加工设备，半导体加工设备包括：晶圆真空室，用于取放晶圆；晶圆加工室，晶圆加工室内设置有多个装载台，每个装载台放置有用于盛放晶圆的晶舟，所述晶圆加工室用于对晶圆进行扩散工艺；多条晶圆传送线，多条晶圆传送线设置于晶圆真空室与晶圆加工室之间，用于在晶圆真空室与晶圆加工室之间取放晶圆。根据本申请的半导体加工设备，通过在半导体加工设备内设置用于多个装载台和多个晶舟，从而使半导体加工设备能够同时对多个晶舟内的晶圆进行加工，以提高半导体加工设备的空间利用率和加工效率。
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公开(公告)号：CN114351256A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090389.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶舟、拆装工具以及晶圆加工设备，该晶舟包括第一固定板、第二固定板和多个立柱，每一立柱的两端分别与第一固定板和第二固定板连接，每一立柱上均设置有支撑部，支撑部用于支撑晶圆，第一固定板与每一立柱之间和第二固定板与每一立柱之间均通过连接件连接；其中，连接件上均设置有凸起，凸起设置成与拆装工具配合以拆装晶舟。根据发明实施例的晶舟，进行扩散工艺的过程中，扩散所使用的颗粒粉末或沉积物沉积在连接件的凸起的表面不会影响晶舟的拆装过程，拆卸后进行清洗以提高晶舟的重复利用率，降低生产成本。
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