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公开(公告)号：CN117038437A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210466214.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/311 , H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体有源区中非共形非晶硅膜的制备方法及得到的半导体结构。半导体有源区中非共形非晶硅膜的制备方法，包括：提供蚀刻有沟槽的半导体基底；在所述半导体基底表面沉积非晶硅，形成从沟槽底部到顶部的第一层硅膜；在所述第一层硅膜的表面进行氧化物间隙填充，再回刻至沟槽顶部露出，并且使沟槽底部保留部分氧化物；然后沉积非晶硅，形成从沟槽底部到顶部的第二层硅膜；再进行侧墙蚀刻除去沟槽底部的第二层硅膜；去除间隙填充的氧化物，可选择性地对沟槽表面剩余的硅膜减薄。本发明采用多次间隔沉积硅膜并去除氧化物的方法，获得非共形的非晶硅膜，具有台阶覆盖率可调的优点，并且获得的“非共形”效果好。
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公开(公告)号：CN114695265A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011568355.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法。形成接触部的方法：所述半导体衬底上形成有接触孔；向接触孔中沉积多晶硅，然后选择性进行回刻，形成多晶硅层；在多晶硅层表面外延生长单晶硅层，然后回刻。制造位线结构的方法：利用上述方法形成接触部，在接触部形成阻挡层和导体层；在金属层上形成帽层；刻蚀帽层、导体层、阻挡层和接触部形成位线叠层；在位线叠层两侧形成位线侧墙。制造存储节点接触的方法：如上述方法形成接触部；在接触部上形成阻挡层和金属层；对阻挡层和金属层进行图案化以形成接触焊盘。本发明简化了去除多晶硅层缝隙/孔洞的工艺流程，提高了生产效率，并且采用同质膜，能够改善器件的导电特性。
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公开(公告)号：CN114628316A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443097.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种接触孔内填充磷掺杂多晶硅的方法及位线接触孔插塞、存储节点接触孔插塞的制备方法。一种接触孔内填充磷掺杂多晶硅的方法，包括：在半导体衬底上形成接触孔；向所述接触孔内沉积多晶硅，并供应磷源进行同步磷掺杂；并且在所述沉积过程中，所述磷源浓度逐步减低。本发明采用多阶段沉积不同浓度磷掺杂的多晶硅，可以保证填充物的浅表层处磷浓度为最低点，从而避免过量磷生成的氧化磷对回刻形貌的不利影响。
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公开(公告)号：CN114628275A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443033.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种冷却装置及具有其的半导体扩散设备。所述冷却装置包括：壳体，所述壳体内形成有容纳扩散炉体的容纳空间，所述扩散炉体内容纳有晶圆；至少两个喷射口，至少两个所述喷射口沿所述扩散炉体的长度方向均匀设置在所述壳体上，至少两个所述喷射口与所述容纳空间连通，至少两个所述喷射口用于向所述扩散炉体喷射冷却介质。根据本发明的冷却装置，使冷却介质通过沿扩散炉体的长度方向设置的至少两个喷射口分别向扩散炉体喷射，以冷却介质通过不同的喷射口直接对扩散炉体进行冷却，从而保证扩散炉体的不同位置的冷却速度，至少两个喷射口均匀布置在壳体上，使扩散炉体及其内部的晶圆冷却均匀。
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公开(公告)号：CN114381807A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142246.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C30B31/06 , C30B31/16 , H01L21/223
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种扩散炉。本申请的扩散炉包括炉体、多个气体导出口和至少一个排气口，炉体内限定出反应腔，多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设于反应腔的侧壁上，多个气体导出口与至少一个排气口相连通。根据本申请的扩散炉，通过设置与排气口相连通的多个气体导出口，且使多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设置，能够使扩散炉内未参与反应的气体通过多个气体导出口及时排出，保证扩散炉内反应气体的分布均匀，防止由于炉体内的未反应气体堆积导致晶圆的扩散厚度不一致，从而有效地提高晶圆的扩散质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114334705A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011080439.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体晶片热处理设备的温度校准装置，该温度校准装置包括夹具和温度校准工具。夹具包括支座和支脚，支座上开有通孔，支脚固定于支座下表面。温度校准工具具有向外侧伸出的探头，该探头穿过支座上的通孔。其中，温度校准工具固定于夹具上。夹具可与温度校准工具形成固定连接结构或者一体成型而成。基于相互固定的夹具和温度校准工具，本公开能够在检测过程使温度检测工具的探头位置始终不变、不需手动调节，进而使温度检测工具得到准确的、可信度较高的温度检测结果。而且本公开还提供了可自旋转的探头，从而能够将自旋转过程中得到的最大温度值作为当前位置的检测结果，再以此检验结果对温度传感器进行校准。
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公开(公告)号：CN114763878B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110057327.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种泄漏检测件、气体管路、制造设备以及管道泄漏检测方法，该泄漏检测件用于检测管道，包括固定部和检测部，固定部用于与管道以可拆卸连接的方式连接，管道中通入气体，检测部设置在固定部上，通过检测部与气体接触的化学反应确定管道发生泄漏。根据发明实施例的泄漏检测件，通过检测部与气体接触时，发生化学反应确定管道泄漏，将微小的变化转变为肉眼可以观察到的变化，弥补了通过压力检测的方式检测范围有限的缺点，响应时间短，灵敏度高，检测成本低。确定管道出现泄漏后，对管道进行及时的维修，使气体能够完全被导入反应室中并在工件表面发生反应，进而保证集成电路产品的生产过程和品质。
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公开(公告)号：CN113517287B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010276334.7
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种含电容孔的半导体结构，包括电容孔，所述电容孔的蚀刻终止层由至少两层氮化物膜组成；所述两层氮化物膜的密度不同；为使所述至少两层氮化物膜的密度不同，采用原位沉积方式。一种半导体结构的制备方法，包括下列步骤：在半导体衬底上沉积蚀刻终止层，再经过后续工艺形成电容孔；其中，所述沉积蚀刻终止层的方法为：在所述半导体衬底上沉积多层氮化物膜，所述多层氮化物膜依次上下层叠，并且所述多层氮化物膜所采用的沉积方法不同。本发明解决了现有技术因电容孔形貌不佳导致器件不良的问题。
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公开(公告)号：CN117038445A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210468605.8
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H10B12/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件中BL位线的制备方法及得到的半导体器件。半导体器件中BL位线的制备方法，包括：在BL蚀刻图案上依次沉积有第一层SiN膜、第二层SiO2薄膜和第三层SiN膜，对所述第三层SiN膜进行蚀刻，所述蚀刻包括：先对SiN膜进行等离子处理，再进行蚀刻；其中，所述等离子处理采用惰性气体等离子。本发明通过等离子处理缩短了蚀刻时长，减少了SiN膜蚀刻对SiO2薄膜的损伤，有利于改善器件质量。
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公开(公告)号：CN114657643B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202011549164.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶片处理设备。本申请的晶片处理设备包括反应室、连通管和挡板，连通管设于反应室的外部，用于连通反应室的内部与真空抽气装置，挡板设于连通管的内部，用于对流经连通管的部分气流进行遮挡，挡板上设有至少一个贯穿挡板的通气口。根据本申请的晶片处理设备，通过在挡板上设置通气口并通过挡板对流经连通管的部分气流进行遮挡，能够有效地减少抽气过程中的气流流量，从而减少反应室内反应气体的充入量，增加反应气体在反应室内的停留时间，降低生产成本。
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