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公开(公告)号：CN114628270A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011435862.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本申请涉及一种RTP的热处理系统及热处理方法，具体包括，提供热处理反应腔室；提供可控的辐射热源；提供支撑组件，用于支撑位于其上并与所述辐射热源相对的衬底，所述支撑组件可对所述衬底进行旋转；提供驱动部件，用于驱动所述衬底和/或所述辐射热源运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底平行的方向产生往复相对运动。本申请通过产生辐射热源组件与半导体衬底之间的往复相对运动，能够获得更均匀的RTP处理效果，并有效解决半导体衬底旋转所产生的半导体衬底表面的环形图案问题。
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公开(公告)号：CN114566439A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011358841.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供的一种边缘环以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆的质量。
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公开(公告)号：CN114563837A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011364143.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种透射窗以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：窗本体，所述窗本体为板状，所述窗本体上均匀设置有多个透射区域；其中，至少所述透射区域的内侧面为凹面结构。在上述技术方案中，透射窗上划分出了多个透射区域，且将每个透射区域的结构均制造成凹面结构，当垂直透射的光线经过该透射区域以后，折射为分散的光线，从而能够使垂直光线经过凹面镜以后，在另一侧更加分散的透射出来，进而消除因烘烤灯排布所形成的间距，使烘烤灯经过透射窗透射至晶圆上时，可以对晶圆形成均匀的烘烤，不会造成间距位置无法烘烤的问题。
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公开(公告)号：CN114192482A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010991804.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种气体喷头的清洁系统及清洁方法，清洁系统包括：用于供应清洁液的清洁液供应模块，用于供应超纯水的超纯水供应模块，用于供应干燥气体的干燥气体供应模块，以及清洁组件，清洁组件用于在清洁处理期间保持要被清洁的气体喷头，并使注入的清洁液、超纯水及干燥气体穿过气体喷头的气体通孔。本发明能够实现气体喷头非原位的自动清洗。
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公开(公告)号：CN113948415A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010698591.X
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开一种回收装置、回收方法和回收系统，涉及半导体器件制造技术领域。确保回收装置持续回收副产物的情况下，提高半导体制造的效率。该回收装置包括主回收支路和辅助回收支路。主回路支路与产生副产物的处理腔连通。辅助回收支路与主回收支路并联。本发明还提供应用了上述回收装置的回收方法和回收系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114427084B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202011185028.9
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供了一种等离子体增强化学气相沉积设备及其操作方法，该设备包括反应腔室、保持晶圆在其上的载台；还设置有第一气管、第一阀门；还设置位于晶圆上方的喷头、将反应气体激发为等离子体的等离子体发生器；还设置有给等离子体发生器供电的电源、电源开关。还包括设置在反应腔室上的排气口、向反应腔室内通净化气体以将晶圆与喷头之间的等离子体从排气口排出的第二气管，第二气管上设置有第二阀门。在关闭第一阀门且打开电源开关的情况下，打开第二阀门，向晶圆与喷头之间通入净化气体，将未沉积在晶圆表面形成膜结构的等离子体排出反应腔室。防止在电源开关关闭后，悬浮在喷头与晶圆之间的等离子体落到晶圆表面，污染晶圆表面的膜结构。
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公开(公告)号：CN114763878B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110057327.2
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种泄漏检测件、气体管路、制造设备以及管道泄漏检测方法，该泄漏检测件用于检测管道，包括固定部和检测部，固定部用于与管道以可拆卸连接的方式连接，管道中通入气体，检测部设置在固定部上，通过检测部与气体接触的化学反应确定管道发生泄漏。根据发明实施例的泄漏检测件，通过检测部与气体接触时，发生化学反应确定管道泄漏，将微小的变化转变为肉眼可以观察到的变化，弥补了通过压力检测的方式检测范围有限的缺点，响应时间短，灵敏度高，检测成本低。确定管道出现泄漏后，对管道进行及时的维修，使气体能够完全被导入反应室中并在工件表面发生反应，进而保证集成电路产品的生产过程和品质。
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公开(公告)号：CN117038445A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210468605.8
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H10B12/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件中BL位线的制备方法及得到的半导体器件。半导体器件中BL位线的制备方法，包括：在BL蚀刻图案上依次沉积有第一层SiN膜、第二层SiO2薄膜和第三层SiN膜，对所述第三层SiN膜进行蚀刻，所述蚀刻包括：先对SiN膜进行等离子处理，再进行蚀刻；其中，所述等离子处理采用惰性气体等离子。本发明通过等离子处理缩短了蚀刻时长，减少了SiN膜蚀刻对SiO2薄膜的损伤，有利于改善器件质量。
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公开(公告)号：CN114975110A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110198683.6
申请日：2021-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种图案化的方法，包括：在要被刻蚀的目标层上形成牺牲层，该牺牲层为低密度碳薄膜；在牺牲层上形成以SiOCN为材料的硬掩膜层；在牺牲层和硬掩膜层上形成刻蚀图案；以形成的刻蚀图案对目标层进行刻蚀。本发明能够改善待刻蚀层上方的薄膜刻蚀特性，得到基本垂直的侧壁。
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公开(公告)号：CN114678360A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011553616.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供的一种掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括衬底，衬底上包括栅沟槽；栅介质层位于栅沟槽的内壁上；功函数层位于栅沟槽的下部且位于栅介质层的表面上；栅电极层位于栅沟槽的下部，并且栅电极的顶面低于功函数的顶面；盖层位于栅沟槽中且位于栅电极层上。在上述技术方案中，在该掩埋沟道阵列晶体管中，功函数层在沟槽深度方向的高度大于栅电极层的高度，因此可以有效的改善栅极诱导漏极泄漏电流的增加，改善动态随机存储器的刷新特性。
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