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公开(公告)号：CN114622182B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202011435937.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种喷头及具有其的化学气相沉积装置。所述喷头包括喷头主体，所述喷头主体上形成有多个工艺气体喷孔，所述喷头主体上形成有多个清洁气体喷孔，所述清洁气体喷孔的喷射方向与所述工艺气体喷孔的喷射方向相交，用于向所述工艺气体喷孔周围的所述喷头主体喷射清洁气体。根据本发明的喷头，喷头主体通过清洁气体喷孔向喷头主体的表面喷射清洁气体，将附着在喷头本体表面的有毒气体沉积和副产物气体沉积清理掉，避免沉积在喷头本体表面的沾污影响工艺气体喷孔的尺寸或者其喷射角度，从而保证由喷头喷向基片的工艺气体的均匀性，进而保证化学气相沉积法制得薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN114620637B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202011439032.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B66F3/46 , B66F13/00 , F16F15/08 , F16F15/06 , H01L21/687
Abstract: 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种升降装置以及具有升降装置的升降机总成，该升降装置包括支撑板和升降组件，支撑板用于装载晶圆，支撑板上设置有通道，升降组件能够在通道内移动，升降组件的升降端与晶圆弹性接触。根据发明实施例的升降装置，将晶圆与升降组件之间的直接冲击力、应力和晶圆的重力转化为弹性接触的弹力，以减少升降件与晶圆之间发生的物理摩擦，避免在晶圆的表面留下破损点或划痕，以使在后续的加工过程中晶圆保持完整。
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公开(公告)号：CN116651248A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210147359.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B01F25/27
Abstract: 本发明公开一种废液排放设备、废液排放方法及废液排放系统，涉及半导体设备技术领域，能够降低排放通道堵塞的几率。该废液排放设备包括排放装置和喷液装置。排放装置具有排放通道。喷液装置设置在排放装置上，用于向排放通道喷射稀释剂。本发明提供的一种废液排放设备、废液排放方法及废液排放系统用于半导体器件、半导体芯片制造。
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公开(公告)号：CN111584334B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010276075.8
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于离子注入装置的绝缘结构，包括：绝缘管；所述绝缘管具有内表面以及两端的开口；至少一个屏蔽管，所述屏蔽管随形安装于所述绝缘管的内表面上。通过设置屏蔽管，使污染物无法渗透到绝缘管的内表面上，可以维持稳定的离子驱逐电压，延长绝缘管的清洗周期。从而延长绝缘管的使用寿命，提高了离子注入装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN115198250A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110397430.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积装置及化学气象沉积方法，其中化学气相沉积装置包括：供气头、载件和机箱；载件位于机箱内，载件用于承托晶圆，载件位于供气头朝向沉积方向的一侧，供气头朝向沉积方向的表面开设有喷射口，供气头用于通过喷射口向载件喷射反应气体，以对载件所承托的晶圆进行化学气相沉积；供气头朝向沉积方向的一端的外围周侧套接有保护套，喷射口位于保护套内；保护套的内壁与供气头朝向沉积方向的表面形成一反应凹槽；在供气头对载件上的晶圆进行化学气相沉积时，载件用于承托晶圆的一端位于反应凹槽内，载件与保护套间隙配合。本发明能够提高晶圆化学气相沉积的均匀性，进而提高晶圆的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084002A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110271228.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/308 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种沟槽的形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上层叠设置模氧化层；在所述模氧化层上形成用于刻蚀的硬掩模层，所述硬掩模层包括SiGe或经退火热处理的非晶硅；形成沟槽。硬掩模层包括SiGe或经退火热处理的非晶硅，提高了硬掩模层的刻蚀均匀性，避免了硬掩模层在刻蚀过程中导致的图案缺陷，提升了电容器的容量值，提高了生产率。
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公开(公告)号：CN115078941A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110267691.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供的一种半导体设备自动化维护检测系统以及方法，涉及半导体技术领域，包括：获取单元用于获取半导体设备中包含的工艺单元的列表信息；记录单元用于获取每个工艺单元的维护记录，并根据该维护记录生成历史维护信息；处理单元用于根据历史维护信息对全部工艺单元进行分类，并根据该分类的结果生成分类维护信息；计划单元用于根据分类维护信息对每个工艺单元生成对应的维护计划，并根据维护计划生成维护控制信息。在上述技术方案中，在自动控制下可以保证不同工艺单元中的零部件均能够得到及时且正确的维护检测控制，保证零部件在发生问题前得到及时的维护处理，保证半导体设备能够正常运转，形成良好的工作状态。
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公开(公告)号：CN114959658A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110207618.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种加热装置及化学气相沉积设备，该加热装置包括用于将晶圆保持在其上的载台，载台上具有至少两个加热区；至少两个加热区包括一个圆形加热区、至少一个环形加热区；至少一个环形加热区环绕圆形加热区的中心呈同心圆排布。该加热装置还包括设置在载台下方且分别独立加热的至少两个加热元件，该至少两个加热元件与至少两个加热区一一对应，每个加热元件用于对该加热元件对应的加热区加热。通过至少两个独立的加热元件，对圆形加热区和至少一个环形加热区分别进行独立加热，使圆形加热区和环形加热区之间的温度差能够根据化学气相沉积工艺进行较大范围的调整，使形成在晶圆表面的薄膜的厚度较为均匀，改善薄膜厚度一致性较差的问题。
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公开(公告)号：CN114695351A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011568365.6
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器结构及其制造方法。一种半导体结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底上包括有源区；位于所述有源区上的介质层；位于所述介质层中的接触孔，所述接触孔露出其中一部分所述有源区；所述接触孔填充有导电介质；所述导电介质为选择性外延生长硅。其制造方法为：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区；在所述半导体衬底上方形成介质层，在所述介质层中形成露出一部分所述有源区的接触孔；在所述接触孔内选择性外延生长硅层。本发明采用选择性外延生长(SEG)硅，几乎不存在孔洞，因此电阻更小，电特性更优良。
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公开(公告)号：CN114695264A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011568330.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及中一种半导体存储器结构及接触孔填充导电材料的方法。接触孔中填充导电材料的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区；在所述半导体衬底上方形成介质层，在所述介质层中形成露出一部分所述有源区的接触孔；向接触孔中沉积硅籽晶层；在所述硅籽晶层表面沉积高掺杂硅层；在所述高掺杂硅层表面沉积低掺杂硅层；在所述低掺杂硅层表面沉积无掺杂硅层；其中，所述高掺杂硅层中掺杂原子的含量＞所述低掺杂硅层中掺杂原子的含量。本发明实现了接触孔内孔洞更少连接的目的，并且采用梯度掺杂的硅层叠而成的导电材料，降低了后续回刻难度，使器件图形化难度降低，更容易改善器件缺陷。
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