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公开(公告)号：CN111009520A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911154973.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/98
Abstract: 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线有机介质层上沉积有重布线金属层，所述重布线金属层上设置有外介质层，所述外介质层具有开孔，所述开孔处沉积电镀有新焊盘，所述第二焊盘通过所述重布线金属层与所述第二芯片的原焊盘连接；所述新焊盘与所述焊料凸点之间通过钉头凸点焊接固定。本发明能够有效缓解3D集成芯片堆叠结构的热应力，提升了3D集成芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110943053A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911155711.5
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/15 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷气密封装器件及封装方法，陶瓷气密封装器件包括：陶瓷基板，设有贯穿所述陶瓷基板的上表面和下表面的通孔，陶瓷基板的通孔内部填充金属，通孔内的金属记为金属柱；芯片，设置在所述陶瓷基板上，芯片的焊盘通过键合线与所述陶瓷基板上的金属柱连接；管帽，设置在陶瓷基板上，管帽与陶瓷基板形成容纳芯片的气密结构；耦合结构，设置在管帽的背面，且位于需要耦合的芯片的上方；散热结构，设置在所述管帽的正面。本发明通过在管帽的正面设置散热结构，提高了散热性，提高了陶瓷封装器件性能；同时在管帽的背面，芯片的上方设置耦合结构，提高了芯片的耦合性，进一步的提高了陶瓷封装器件的性能。
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公开(公告)号：CN109862734A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811612036.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微波多通道装置技术领域，提供一种电子装置封装结构，包括底盒和盖板，底盒包括底板及与底板相连的若干立板，各立板和底板分别围合而成若干腔室，盖板为板体结构，盖板的下侧面对应各立板的位置设有若干第一凹槽，盖板的上侧面对应各立板的位置设有若干第二凹槽，盖板借助第一凹槽和第二凹槽与底盒通过激光焊接密封连接。本发明提供的电子装置封装结构，通过在盖板上下侧面对应底盒立板的位置分别设计凹槽结构，使盖板和底盒可以借助凹槽激光焊接密封连接起来，并使底盒内的腔室密封隔离，隔离效果明显、彻底、可靠，从而避免负公差时因使用铝箔密封而存在铝箔破碎、脱落风险，也避免因为正公差导致盖板出现机械形变的问题。
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公开(公告)号：CN118380426A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410567037.6
申请日：2024-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC的芯片倒装焊接与引线键合混合封装系统，属于芯片级系统封装技术领域，包括HTCC封装基板、倒装焊接芯片、引线键合芯片、表贴元器件和腔体盖板，HTCC封装基板底层设置有向其内部延伸的腔体结构，HTCC封装基板设置有垂直互联结构和焊球；倒装焊接芯片采用倒装焊接方式微组装于HTCC封装基板顶层，HTCC封装基板顶层连接有围设于倒装焊接芯片及表贴元器件外周的封帽，引线键合芯片微组装于底层腔体结构内部，通过引线键合方式连接下电子元器件和HTCC封装基板的走线，腔体盖板盖设于HTCC封装基板底层且用于封盖腔体结构。本发明具有能缩小封装体积，减小封装高度，降低使用过程中贴装和焊接难度，增强各功能模块之间互联的可靠性的技术效果。
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公开(公告)号：CN114101833B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202111520164.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种无引线陶瓷器件的搪锡去金方法，属于无引线陶瓷技术领域，包括：在具有多个贯通槽的基板上粘贴胶带，且所述胶带覆盖多个所述贯通槽；将多个无引线陶瓷器件对应地放置于多个所述贯通槽内，以使所述无引线陶瓷器件的搪锡面被所述胶带粘接；在所述贯通槽内印刷阻焊胶，以使所述无引线陶瓷器件除所述搪锡面以外的表面被所述阻焊胶覆盖；去除所述胶带，以使所述搪锡面裸露；将所述基板浸入锡槽内并升起，并在升起时吹平所述搪锡面的焊锡；清洗所述基板；将所述无引线陶瓷器件从所述贯通槽内取出。相对于高温烙铁的方式，搪锡效率高，适合批量生产，对无引线陶瓷器件的热冲击较小，减少无引线陶瓷器件的损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687638B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011551795.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种立式互联金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法，立式互联金属陶瓷封装外壳包括下陶瓷基板、上陶瓷基板、金属墙和盖板；下陶瓷基板上设有第一金属柱，下陶瓷基板的上表面用于生长金属墙；上陶瓷基板上设有第二金属柱，上陶瓷基板的下表面与下陶瓷基板的上表面对称设置；金属墙包括用于芯片侧装的多个第一金属侧墙、以及第二金属侧墙，第一金属侧墙与对应的第二金属侧墙形成一侧面开口的芯片密封腔；盖板包括用于密封芯片密封腔的开口的侧盖板。立式互联金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式互联金属陶瓷封装外壳内的芯片密封腔内，然后焊接盖板。本发明在单个封装内实现了多频收发甚至多频多通道收发。
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公开(公告)号：CN112875290B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110187012.X
申请日：2021-02-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种产品自动上下料装置及自动测试设备，属于机械设备领域，包括上料机构、测试平台和下料机构，上料机构将放有产品的底托传送至取料工位；测试平台将传送至取料工位的底托移动至测试工位，并将测试的产品随底托传送至下料工位；下料机构将传送至下料工位的底托连同产品从测试平台取走。本发明提供的装置及设备，通过上料机构实现自动上料，通过测试平台将放置有产品的底托送至测试工位，测试后送至下料机构实现自动下料；通过自动对接和自动纠偏，保证高频接头焊接位置的良好一致性，避免低频接头焊接位置一致性差的问题，避免插头对接的失败，提高整个产品测试过程的自动化程度，实现产品的自动测试，降低劳动强度，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN111009520B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911154973.X
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/18 , H01L23/488 , H01L21/98
Abstract: 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线有机介质层上沉积有重布线金属层，所述重布线金属层上设置有外介质层，所述外介质层具有开孔，所述开孔处沉积电镀有新焊盘，所述第二焊盘通过所述重布线金属层与所述第二芯片的原焊盘连接；所述新焊盘与所述焊料凸点之间通过钉头凸点焊接固定。本发明能够有效缓解3D集成芯片堆叠结构的热应力，提升了3D集成芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114582817A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210086525.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。
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公开(公告)号：CN111029304B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201911155672.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种抗振三维堆叠电路结构及其制备方法，属于微电子封装领域，包括封装底板、密封罩设于封装底板上表面并与封装底板配合形成容纳腔的金属外壳、沿上下方向层叠设于容纳腔内的电路基板、设于电路基板上表面上的电路元件及设于相邻电路基板上的第一焊球，位于底层的电路基板与封装底板固定连接，相邻的电路基板之间还设有分别与相邻两个电路基板固接的缓冲胶层，缓冲胶层位于电路元件外侧。本发明提供的抗振三维堆叠电路结构及其制备方法，能有效提高堆叠电路结构的抗震动和抗机械冲击能力，避免焊球焊点开裂，同时避免了缓冲胶层使高频信号传输损耗增加进而导致信号传输性能恶化的问题。
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