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公开(公告)号：CN114725091B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210361085.0
申请日：2022-04-07
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L27/085 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 一种实现氮化镓CMOS逻辑电路的结构，包括：实现P沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层，氮化镓沟道层上方设有第三铝镓氮势垒层、钝化层、金属源极、金属漏极，第三铝镓氮势垒层上方设有栅极介质层，栅极介质层上方设有栅极金属。实现N沟道氮化镓晶体管：从下到上顺序设有衬底、氮化铝成核层、铝镓氮缓冲层、第一铝镓氮势垒层、氮化镓沟道层、第二铝镓氮势垒层，第二铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层、钝化层、金属源极、金属漏极，P型氮化镓层上方设有栅极金属。本发明实现P沟道和N沟道氮化镓器件的增强型操作，减少散射对空穴迁移率影响，提高P沟道器件的输出电流。
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公开(公告)号：CN114759093A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210380955.9
申请日：2022-04-11
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8)，所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径，克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外，延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层，进一步增加了电流密度。而且，由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面，未引入新的电场峰值，从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。
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公开(公告)号：CN114551379A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210143845.0
申请日：2022-02-17
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种具有高效散热性能的芯片散热器，包括：装置本体，在装置本体上设有流体凹槽、流体入口，流体凹槽内设有流体出口，流体凹槽连接流体流出通道，流体流出通道与芯片嵌入凹面上层散热层相连接。芯片嵌入凹面上设有流速挡板和喷射微孔道，喷射微孔道与芯片嵌入凹面下层流体流入层相连接。芯片内嵌于芯片嵌入凹面。流体凹槽为矩形凹槽，芯片嵌入凹面为正方形，流体出口、流体入口均为圆柱形，喷射微孔道为圆柱形。装置主体所使用的耐腐蚀金属材料为铜Cu、银Ag或金Au。本发明提供的一种高效散热性能的芯片散热器通过液体冷却，散热效率高，传热系数大，工作稳定性好，适用范围广。
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公开(公告)号：CN108318796B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201711326839.4
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。
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公开(公告)号：CN105827223A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K17/687 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78 , H03K17/687 , H01L29/7818
Abstract: 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119967860A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311473834.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119153487A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310713119.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅半导体元器件，包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；第一电极；第二电极；漂移区，设于所述掩埋介质层上；所述漂移区的上表面形成落差结构，所述落差结构包括靠近所述第一电极的第一侧、靠近所述第二电极的第二侧、以及所述第一侧与第二侧之间的过渡区，所述第二侧的上表面高于所述第一侧的下表面，从而使所述漂移区在所述第二侧的厚度大于在所述第一侧的厚度；其中，所述第一电极和第二电极被配置为：在所述元器件被施加反向偏压时，第二电极施加的电压大于第一电极施加的电压。本发明可以将器件的击穿点控制在高压端的下方，使得漂移区能够完全耗尽，在不增加埋氧层厚度的前提下依然可以提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117995534B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN118352364A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410499140.1
申请日：2024-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/12 , H01L27/13 , H01L21/761 , H01L21/86
Abstract: 一种蓝宝石基的单片集成GaN器件及其制备方法，器件包括由蓝宝石衬底和注入隔离区构成的隔离结构和由蓝宝石衬底的外延刻蚀凸起层隔离形成的第一高压区、第二高压区和低压区，第一高压区内设有功率增强型GaN HEMT，第二高压区内设有功率耗尽型GaN HEMT，低压区内设有增强型GaN HEMT、耗尽型GaN HEMT、肖特基二极管、整流器、电阻和电容，低压区器件由注入隔离区隔离；制备方法包括蓝宝石衬底刻蚀、材料外延、外延材料凸起区域刻蚀、PGaN刻蚀、注入隔离、钝化层沉积、以及栅电极、源电极、漏电极、电阻电极、电容电极、肖特基二极管阳极和阴极、整流器阳极、栅场板、源场板的形成。本发明有效抑制高压区器件间、高压区与低压区器件间的串扰，提高了器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118039689A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410202657.X
申请日：2024-02-23
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 一种便于集成的高耐压增强型氮化镓器件，在第二硅衬底上设置成核层、缓冲层及GaN层，GaN层上设p‑GaN区和AlGaN势垒层，在p‑GaN区内设第一n‑GaN区，在第一n‑GaN区上连有第一金属电极，p‑GaN区上设第一SiO2氧化层，第一SiO2氧化层上设第二金属电极，AlGaN势垒层设第四金属电极，AlGaN势垒层设第二n‑GaN区和第二SiO2氧化层，第二SiO2氧化层设第三金属电极，第二n‑GaN区将AlGaN势垒层分割成第一和第二AlGaN势垒层，第二SiO2氧化层及第三金属电极位于第二n‑GaN区与第四金属电极之间，第三金属电极与第一金属电极连接。第二n‑GaN区和第三金属电极缓解了边际效应。
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