-
公开(公告)号：CN107689787A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710675218.0
申请日：2017-08-09
申请人： 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687 , H03K2217/0054 , H03K2217/0063
摘要： 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。
-
公开(公告)号：CN105827223A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
申请人： 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC分类号： H03K17/687 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H03K17/687 , H01L29/7818
摘要： 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN107689787B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201710675218.0
申请日：2017-08-09
申请人： 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。
-
公开(公告)号：CN105827223B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610098736.6
申请日：2016-02-23
申请人： 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC分类号： H03K17/687 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种集成自举的高压驱动芯片及其工艺结构，巧妙地利用高压电平移位电路中通过集成工艺实现的寄生的高压二极管对自举电容进行充电，高压电平移位电路的电源端为高侧浮动电源VB，参考地为浮动电压PGD。PGD由自举控制电路进行控制，VB和PGD之间设有第一寄生二极管和第二寄生二极管，自举控制电路由高侧信号和低侧信号控制，当低侧输出信号LO为高电平且高侧输出信号HO为低电平，或者当低侧输出信号LO为低电平且高侧输出信号HO为低电平时，自举控制电路的输出PGD为高电平VCC，VCC通过第一寄生二极管和第二寄生二极管对外部自举电容进行单向充电。本发明充电速度快、充电效率高、电路结构简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN103997317A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410215745.X
申请日：2014-05-21
申请人： 东南大学
摘要： 一种显著提高控制电流—输出频率线性度的张弛振荡器，包括振荡电路、延时误差检测电路和调制电流产生电路，延时误差检测电路用于检测振荡电路中充放电电容的峰值电压，并根据峰值电压产生延时误差消除信号，使振荡器振荡在预设的频率上，调制电流产生电路根据充放电电容上的峰值电压，产生相应的附加控制电流，提高充放电电容的充电速率，消除振荡电路延时的影响，提高控制电流—频率的线性度，由于调制电流产生电路输出的额外控制电流会使充放电电容C1和C2上的电压进一步增加，因此本发明还能够降低振荡器输出信号的抖动。
-
公开(公告)号：CN103529897A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310535118.X
申请日：2013-11-01
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 一种高电源抑制比的纯MOS结构电压基准源，包括启动电路、IPTAT产生电路、VPTAT产生电路、VGS产生电路和PSRR增强反馈电路；启动电路连接至IPTAT产生电路，IPTAT产生电路的输出分别连接VPTAT产生电路和VGS产生电路，VPTAT产生电路的输出与VGS产生电路的输出叠加形成Vref基准电压输出，该输出基准电压通过PSRR增强反馈电路反馈给IPTAT产生电路，形成闭合的反馈环路。
-
公开(公告)号：CN103280963A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310149510.0
申请日：2013-04-26
申请人： 东南大学
CPC分类号： Y02B70/126
摘要： 本发明提供了一种降低功率管导通功耗的PFC控制电路，基于Boost升压电路的拓扑结构，包括电压环电路、功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路和逻辑控制与驱动电路，电压环电路用于稳定输出和产生功率管的关断信号，功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路用于检测功率管漏源VDS并与谷底电压进行比较，产生功率管的导通控制信号，逻辑控制与驱动电路用于驱动控制功率管的开通和关断。通过检测VDS的电压，确保在不同的输入电压情况下，功率管都能在其漏源电压VDS处于谷底电压或者零电压时开启，从而降低了功率管导通时的损耗。
-
公开(公告)号：CN103236834A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310080254.4
申请日：2013-03-13
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K19/094
摘要： 本发明公开了一种浮栅驱动芯片中抑制高侧浮动电源低电平负过冲的电路，浮栅驱动芯片中设有高侧通道、低侧通道，高、低侧通道中均分别设有逻辑电路和驱动电路，其特征在于，将常规的高侧通道中的驱动电路加以改进，并且在改进后的高侧通道中的驱动电路与高侧浮动电源低电平VS之间增设电流检测与控制电路，改进后的高侧通道中的驱动电路的一个输入端连接逻辑电路的输出端，电流检测与控制电路的输出端与改进后的高侧通道中的驱动电路的另一输入端连接，改进后的高侧通道中的驱动电路的输出端连接浮栅驱动芯片的高侧输出引脚。
-
公开(公告)号：CN103546123B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310536184.9
申请日：2013-11-01
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K3/023
摘要： 本发明提供一种显著提高线性度的张弛振荡器，包括振荡电路，参考电平自调节电路和传输门选择信号产生电路，通过检测振荡电路中充放电电容的电压峰值，求出由于控制电路的延时导致的电容电压过充量，从而把振荡电路中的比较器参考电平减小相应的量作为新的参考电平来使得充放电电容的振荡幅度刚好为理论值，在新的参考电平大于零时，张弛振荡器消除了充放电电容由于控制电路的延时导致的电容电压过充对输出频率产生的影响，显著地提高了张弛振荡器的频率-控制电路的线性度，传输门选择信号产生电路通过控制传输门为比较器提供起始参考电平，在新的参考电平生成后，将其传送到比较器的反相端，而将初始参考电平与比较器反相端隔离。
-
公开(公告)号：CN103312298B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310283456.9
申请日：2013-07-05
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.051 秒)
