公开(公告)号：CN118039689A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410202657.X

申请日：2024-02-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  李胜 ,  毛伟雄 ,  陆伟豪 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 一种便于集成的高耐压增强型氮化镓器件，在第二硅衬底上设置成核层、缓冲层及GaN层，GaN层上设p‑GaN区和AlGaN势垒层，在p‑GaN区内设第一n‑GaN区，在第一n‑GaN区上连有第一金属电极，p‑GaN区上设第一SiO2氧化层，第一SiO2氧化层上设第二金属电极，AlGaN势垒层设第四金属电极，AlGaN势垒层设第二n‑GaN区和第二SiO2氧化层，第二SiO2氧化层设第三金属电极，第二n‑GaN区将AlGaN势垒层分割成第一和第二AlGaN势垒层，第二SiO2氧化层及第三金属电极位于第二n‑GaN区与第四金属电极之间，第三金属电极与第一金属电极连接。第二n‑GaN区和第三金属电极缓解了边际效应。

公开(公告)号：CN117375593A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311409428.7

申请日：2023-10-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 李胜 ,  毛伟雄 ,  陆伟豪 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H03K17/042 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路，包括耗尽型功率半导体器件，N沟道金属氧化物半导体器件，隔离型栅极驱动，隔离型变压器，二极管和电阻；其中耗尽型功率半导体器件的栅极与隔离型栅极驱动的输出相连接，源极与N沟道金属氧化物半导体器件的漏极及输出供电相连接；N沟道金属氧化物半导体器件的栅极与隔离型变压器的输出相连接；第一二极管的阳极与隔离型栅极驱动的输出相连接，阴极与N沟道金属氧化物半导体器件的源极相连接；第二二极管的阳极与隔离型栅极驱动的输出供电相连接，阴极与耗尽型功率半导体器件的源极及N沟道金属氧化物半导体器件的漏极相连接。本发明完成对耗尽型功率半导体器件的直接控制，提高开关速度和频率。