公开(公告)号：CN114759093A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210380955.9

申请日：2022-04-11

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  卢丽 ,  郑贵强 ,  余仲轩 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件，在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8)，所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内，沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径，克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外，延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层，进一步增加了电流密度。而且，由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面，未引入新的电场峰值，从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。