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公开(公告)号：CN101606227B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880004230.8
申请日：2008-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , C23C16/458 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/68742 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 所公开的载置台构造，是在对基板进行规定处理的可抽真空的处理容器内支撑基板的载置台构造，该载置台构造具有：载置台主体，其载置基板；升降销机构，其构成为将基板降到载置台主体，并从载置台抬起基板；阶梯部，其形成在载置台主体上，使得载置在载置台主体上的基板的背面周缘部暴露于供给到处理容器中的处理气体中。
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公开(公告)号：CN101499411B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910001993.3
申请日：2009-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68728 , H01L21/68735
Abstract: 本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有基板的载置台，在载置台的上表面的多个部位，突出设置有用于定位基板周缘的定位销，并将定位销插入到形成于载置台上表面上的凹部中。可在定位销被卸下的状态下将载置台的上表面加工为平滑的形状。另外，在载置于载置台上表面上的基板的周缘附近只存在定位销，因此，可以防止基板周缘部温度发生下降。
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公开(公告)号：CN101855946A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880110139.4
申请日：2008-10-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置(1)，其中从同轴波导管(30)供应的微波经由滞波板(25)被导入处理容器(2)内，在处理容器(2)内处理气体被等离子化，从而基板(W)被处理，在该等离子体处理装置(1)中，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)与滞波板(25)的连结处，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)的外部导体(32)的内部中以内部导体(31)为中心的圆周方向上的一部分上，并且电介质部件(45)被配置在以内部导体(31)为中心的圆周方向上的任意位置。
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公开(公告)号：CN101622692A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006209.1
申请日：2008-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置的清洗方法，在能够抽真空的处理容器(32)内对被处理体(W)使用等离子体实施等离子体处理，具有：第一清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为第一压力而进行清洗；第二清洗工序，在向处理容器内供给清洗气体的同时，产生等离子体，将处理容器内维持为比第一压力高的第二压力而进行清洗。这样，就可以对处理容器的内壁面或处理容器内的构件不造成损伤地、有效并且迅速地进行清洗。
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公开(公告)号：CN101548364A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000772.8
申请日：2008-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/461 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46 , Y10T428/24273
Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101467498A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021712.X
申请日：2007-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔(112)中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体(114)。将由多孔质气体流通体(114)的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。
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公开(公告)号：CN101461038A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020248.2
申请日：2007-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。
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公开(公告)号：CN1998272A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580020964.1
申请日：2005-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46
Abstract: 在平面天线部件(3)上由多个同心圆形成环状的槽口(300～304)，将中心部的导体(310、311)的厚度形成为相对的薄，将周边部的导体(312～315)的厚度形成为相对的厚，由此，微波不衰减，易于通过槽口(300～304)，能够得到均匀的电场分布，能够在处理空间内平均地产生均匀的高密度的等离子体，所以能够使被处理体接近天线部件(3)，可以高速且均匀地处理被处理体。
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公开(公告)号：CN1659934A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813083.1
申请日：2003-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种等离子体处理装置，它具有：在内部进行等离子体处理用的腔室(1)；由塞住所述腔室(1)的上侧的电介质构成的顶板(15)；和作为通过所述顶板(15)将高频供给所述腔室(1)内的高频供给部件的天线部(3)；在顶板(15)内部具有反射部件(23a、23b)。反射部件(23a、23b)的侧壁起作为反射在顶板(15)内沿径向传播的高频的波反射部件的作用。或者，没有反射部件，则用顶板(15)的凹部的侧壁作为波反射部件也可以。
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公开(公告)号：CN101855946B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880110139.4
申请日：2008-10-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32266 , H05H1/46
Abstract: 本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置(1)，其中从同轴波导管(30)供应的微波经由滞波板(25)被导入处理容器(2)内，在处理容器(2)内处理气体被等离子化，从而基板(W)被处理，在该等离子体处理装置(1)中，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)与滞波板(25)的连结处，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)的外部导体(32)的内部中以内部导体(31)为中心的圆周方向上的一部分上，并且电介质部件(45)被配置在以内部导体(31)为中心的圆周方向上的任意位置。
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