公开(公告)号：CN101275574A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086397.5

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  守屋刚

IPC: F04D19/04 ,  F04D29/40 ,  H01L21/00

CPC classification number: F04D19/042 ,  F04D29/701 ,  F05D2260/607 ,  Y02T50/675

Abstract: 本发明提供一种能够抑制堆积物向构成部件附着的涡轮分子泵(18)，用于从腔室(11)排出堆积物附着要因气体，包括：具有沿着排气流的旋转轴(36)的转子(37)；收容该转子(37)的壳体(38)；从该转子(37)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个旋转翼(39)；和从壳体(38)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个静止翼(40)，多个旋转翼(39)被分割成多个旋转翼组(41)，多个静止翼(40)被分割成多个静止翼组(42)，各旋转翼组(41)和各静止翼组(42)沿旋转轴(36)交互配置，从相对于排气流在比位于最下游侧的旋转翼组(41)的更上游侧开口的气体供给口(43)供给含氩分子的堆积物附着抑制气体。

公开(公告)号：CN100369213C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510059395.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/50 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明提供可以抑制颗粒附着而防止晶片污染的等离子体处理装置以及方法。等离子体处理装置具备对晶片进行等离子体处理的处理室(100)。处理室(100)具备腔室侧壁(110)、上部电极(111)、为了用静电将晶片吸附在ESC台(120)而被埋设的吸附晶片用的ESC电极(120a)、配置在晶片的外周上的聚焦环(121)以及ESC台(120)。在ESC台(120)上，为了用静电将聚焦环(121)吸附在ESC台(120)而埋设吸附FR用的ESC电极(122a)。等离子体处理装置在进行等离子体处理中向ESC电极(120a、122a)供给不同电位的电力。

公开(公告)号：CN1921068A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610151453.X

申请日：2004-10-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。

公开(公告)号：CN1790616A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118834.3

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  G05B19/04 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。

公开(公告)号：CN1790615A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510117786.6

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。

公开(公告)号：CN1772946A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510117628.0

申请日：2005-11-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史 ,  小林启悟 ,  安田要

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  G06F19/00

CPC classification number: C23C16/4404

Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90％以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。

公开(公告)号：CN1736830A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510067932.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: B65G49/05 ,  B65G49/07 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种在不降低基板处理系统实际作业率的情况下能充分清除堆积粒子的基板输送装置。基板输送装置(10)由箱状的腔室(11)及腔室(11)内配有的输送臂(12)、负责该腔室(11)内排气的排气管线(15)、使N2气体进入腔室(11)内的气体导入管线(18)等构成。利用输送臂(12)使施加高电压的带有电极层(25)的拾取器(24)移动到腔室(11)内所希望的位置。气体导入管线(18)将N2气体导入腔室(11)内，且由排气管线(15)使腔室(11)排气，使腔室(11)内产生粘性流，再对移至希望位置的拾取器(24)的电极层(25)加高电压，从而使腔室(11)内面和拾取器(24)之间产生静电场，这样，静电应力就会作用于粒子堆积的腔室(11)内面。

公开(公告)号：CN1696030A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510069374.X

申请日：2005-05-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之 ,  奥山喜久夫 ,  岛田学

IPC: B65G49/05 ,  B65G49/07 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种能将附着在基板上的颗粒剥离及除去的基板输送机构、具有该基板输送机构的基板输送装置、基板输送机构的颗粒除去方法、基板输送装置的颗粒除去方法、实施该方法用的程序、和存储介质。作为基板输送机构的输送臂(12)具有：配置在腔室(1 1)的底面上，绕相对于该底面垂直的轴旋转自如的旋转台(21)；连接在该旋转台(21)上的棒状的第一腕部件(22)；连接在该第一腕部件(22)上的棒状的第二腕部件(23)；和连接在该第二腕部件(23)的另一端上的载置基板(W)的拾取器(24)；和控制拾取器(24)的温度用的温度控制装置(28)，温度控制装置(28)在拾取器(24)上形成规定的温度梯度。

公开(公告)号：CN1591777A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057032.1

申请日：2004-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  长池宏史 ,  中山博之

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

Abstract: 为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散，清洁部件，采用将电压加在部件上，利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法；使微颗粒带电，利用库仑力飞散的方法，将气体导入减压处理室中，使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件，使微颗粒飞散的方法；使部件温度上升，利用热应力和热泳动力，使微颗粒飞散的方法；或将机械振动给与部件，使微颗粒飞散的方法。另外，使飞散的微颗粒在较高压的气氛下被气体流夹带除去。

公开(公告)号：CN1521805A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410031210.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴 ,  长池宏史 ,  守屋刚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、环形部件以及等离子体处理方法，利用等离子体进行处理，当执行相互不同的多个处理时实现装置公用化，在多个装置中执行相同处理时易统一装置之间的等离子体状态，利用由绝缘材料构成的环形部件环绕处理容器内的被处理基板，在此环形部件内设置用于调整等离子体源区的电极，构成为例如在对被处理基板执行第一处理时对该电极施加第一直流电压、在执行第二处理时对该电极施加第二直流电压，此时，由于对应于执行每一处理或相同处理的各装置通过施加合适的直流电压就可统一等离子体的状态，所以可实现装置公用化，并易对等离子体状态进行调整。