公开(公告)号：CN1790615A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510117786.6

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。

公开(公告)号：CN101244945B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200710165026.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: C04B41/00 ,  C04B41/53 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理，热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动，从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。

公开(公告)号：CN101244945A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710165026.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: C04B41/00 ,  C04B41/53 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理，热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动，从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。

公开(公告)号：CN100388418C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510117786.6

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。