公开(公告)号：CN118147752A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410307647.2

申请日：2024-03-18

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  胡书诚 ,  王梦雪 ,  田甜 ,  申慧 ,  周鼎 ,  刘莉莉

IPC: C30B29/34 ,  C30B13/10 ,  C30B13/28

Abstract: 本发明公开了一种铝和钽双掺杂提高透过率的硅酸铋晶体及其制备方法，该Bi12SiO20晶体掺有铝离子Al3+和钽离子Ta5+，其中，铝离子以Al2O3形式掺入，钽离子以Ta2O5形式掺入。选用高纯SiO2、Bi2O3原料，采用固相烧结法制备Bi12SiO20多晶料，然后按向多晶料中加入Al2O3和Ta2O5，混合均匀并烧结，得到铝和钽双掺杂的多晶料；将硅酸铋籽晶和掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入氧化铝管中，置于晶体炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到透过率提高的铝和钽双掺杂硅酸铋晶体。采用本发明制备方法得到的铝和钽双掺杂硅酸铋晶体，可显著提高晶体的透过率。

公开(公告)号：CN116333735A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310313732.5

申请日：2023-03-28

Applicant: 上海应用技术大学 ,  上海鼎晖科技股份有限公司

Inventor： 田甜 ,  谢粤平 ,  李莹 ,  张彦 ,  徐家跃 ,  李建胜 ,  王岑岑 ,  杨丽

IPC: C09K11/67 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明公开了一种具有同质核壳结构的四价锰掺杂氟化物红色荧光材料及其制备方法，该荧光材料的化学式为K2Ta1‑xInxF7:ymol％Mn4+@K2Ta1‑xInxF7，其中0

公开(公告)号：CN114232094A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111640665.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  田甜 ,  张炎 ,  潘芸芳 ,  李志超 ,  张彦 ,  申慧 ,  马云峰 ,  陈媛芝

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/14 ,  C30B28/02 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是：(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料，铀离子以UO2形式掺入，可显著提高晶体的光输出，掺杂量为0.01～1mol％，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12；(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料，根据化学计量比配料，采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料，然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2，混合均匀并烧结，得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料；(3)选择硅酸铋籽晶，将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，将掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入陶瓷管中，置于区熔炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。

公开(公告)号：CN110820045B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201911268308.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  申慧 ,  田甜 ,  蒋颖穗 ,  封鹏

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9‑x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长‑补充溶质‑再生长‑再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。

公开(公告)号：CN113403685A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110655568.7

申请日：2021-06-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 田甜 ,  袁文 ,  徐家跃

IPC: C30B29/30 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供了一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法。本发明的单掺铀铌酸锂晶体是以纯度为99.99wt％Li2CO3、99.99wt％Nb2O5及纯度≧99.99％的UO2为原料，其中，UO2的掺杂量为0.6～2.0mol％，[Li]和[Nb]的摩尔比为0.937。制备步骤为:首先称取各原料充分研磨混合后烧结；再将研磨烧结后的多晶粉料放入铂金坩埚中采用坩埚下降法生长铀掺杂铌酸锂晶体。本发明的单掺铀铌酸锂晶体与同成分的铌酸锂晶体相比较，单晶质量较高且易于生长、其光折变效应增强、灵敏度提高；本发明的掺铀铌酸锂晶体有望推动铌酸锂晶体材料在全色全息存储及全息显示等领域的应用，并具有很大的市场应用前景。

公开(公告)号：CN112410878A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011178464.3

申请日：2020-10-29

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  黄礼武 ,  徐家跃 ,  田甜 ,  袁军平 ,  罗宽宽

IPC: C30B29/12 ,  C30B29/54 ,  C30B7/10 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种掺铥的2μm激光晶体及其制备方法。所述晶体为双钙钛矿结构，属于立方晶系，晶体的组成表达式子为，MAⅢ2为MⅠ三M价ⅢX阳6：离x子Tm，；X其为中卤，素A为阴一离价子阳，并离且子0，

公开(公告)号：CN112048299A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202011057552.8

申请日：2020-09-30

Applicant: 上海应用技术大学 ,  江苏科创车联网产业研究院有限公司

Inventor： 田甜 ,  刘伟 ,  张彦 ,  黄礼武 ,  徐家跃 ,  刘干

IPC: C09K11/79 ,  C01B35/12

Abstract: 本发明公开了一种Ce3+掺杂的白光LED荧光材料及其制备方法。所述白光LED荧光材料的化学通式为Ca3(Tb7)1‑x(BO4)(SiO4)5O:xCe3+，其中，0

公开(公告)号：CN111394781A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010262173.6

申请日：2020-04-06

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  潘芸芳 ,  李志超 ,  冯海威 ,  周鼎 ,  田甜

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种利用硼酸盐助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)助熔剂Li5U(BO3)3通过化学计量比的Li2CO3、H3BO3和UO2粉末进行混合研磨3h；(2)将步骤(1)中的混合粉末装入铂金坩埚中，通过三段温度烧结；(3)将助熔剂Li5U(BO3)3与UO2按摩尔比83mol％:17mol％配料，充分混合研磨后，装入铂金坩埚中，通Ar/5％H2，放置管式电阻炉中，升温至1235℃，利用Li5U(BO3)3助熔剂将UO2溶解，体系达到熔融态，通过缓慢冷却来达到过饱和度驱动晶体生长，得到UO2晶体。本方案主要用于制备二氧化铀晶体，解决了现有熔体法难以生长超高熔点二氧化铀晶体的问题。

公开(公告)号：CN110685006A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911052834.6

申请日：2019-10-31

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 张彦 ,  罗宽宽 ,  徐家跃 ,  储耀卿 ,  田甜 ,  申慧 ,  王洪超 ,  袁军平 ,  黄礼武 ,  余枭

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法。所述晶体POC为一种熔融化合物，该晶体的熔点为526℃，属于正交晶系，其空间群为Fmm2(42)，晶胞参数为Z＝3。制备方法为：将PbCl2与PbO混合均匀后的粉末装入到坩埚中加热，自然冷却至室温后取出，进行充分研磨后，得到POC晶料；将POC晶料装入坩埚中置于炉内，将晶体炉升温；调整坩埚位置，让坩埚内的晶料完全充分熔融，下降引下管，进行晶体生长；然后退火处理即可。本发明减少了PbO和PbCl2的挥发，极大提高了POC单晶的成品率。

公开(公告)号：CN108411370A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810235105.3

申请日：2018-03-21

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  梁肖肖 ,  田甜

IPC: C30B29/52 ,  C30B11/02

Abstract: 本发明提供了一种制备镍基单晶高温合金的方法，先将母合金进行前处理，去除表面氧化层，超声清洗，干燥；其次将一定取向的籽晶置于氧化铝坩埚底部，母合金棒放入坩埚；最后将装有母合金的坩埚放于下降炉中，炉内温度设定高于含有镍的母合金熔点50-100℃，熔融母合金和籽晶顶部，固液界面温度梯度控制在200-250K/cm，坩埚的下降速度为2cm/h。单晶整个生长过程均在真空条件下进行，真空度应控制在1×10-3Pa。采用本发明的方法制备的镍基单晶高温合金微观组织形貌为典型的枝晶结构，基本呈现"十"字型规整排列，合金具有较好的高温氧化性能。本发明的工艺设备简单，便于操作，温场稳定。