公开(公告)号：CN113403685A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110655568.7

申请日：2021-06-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 田甜 ,  袁文 ,  徐家跃

IPC: C30B29/30 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供了一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法。本发明的单掺铀铌酸锂晶体是以纯度为99.99wt％Li2CO3、99.99wt％Nb2O5及纯度≧99.99％的UO2为原料，其中，UO2的掺杂量为0.6～2.0mol％，[Li]和[Nb]的摩尔比为0.937。制备步骤为:首先称取各原料充分研磨混合后烧结；再将研磨烧结后的多晶粉料放入铂金坩埚中采用坩埚下降法生长铀掺杂铌酸锂晶体。本发明的单掺铀铌酸锂晶体与同成分的铌酸锂晶体相比较，单晶质量较高且易于生长、其光折变效应增强、灵敏度提高；本发明的掺铀铌酸锂晶体有望推动铌酸锂晶体材料在全色全息存储及全息显示等领域的应用，并具有很大的市场应用前景。

公开(公告)号：CN112080798A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202011030636.2

申请日：2020-09-27

Applicant: 上海应用技术大学 ,  江苏科创车联网产业研究院有限公司

Inventor： 田甜 ,  袁文 ,  徐家跃 ,  张彦 ,  黄礼武 ,  申慧 ,  储耀卿 ,  刘干

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00 ,  C09K11/85

Abstract: 本发明公开了一种近零热猝灭氟化物荧光单晶材料及其制备方法。所述单晶材料的化学式为KY3‑xCexF10，其中，0.01≤x≤0.03。制备方法为：KF、YF3、CeF3原料混合后放入Pt坩埚烧结，制得多晶粉料；将粉料采用坩埚下降法进行晶体生长，经接种、放肩、等径生长，生长出无裂纹、无明显生长条纹的透明晶体；将透明晶体退火，自然冷却至室温。本发明的发光材料与在300nm的紫外光激发下，发射中心波长为360nm的宽带蓝紫光，其发光效率较高，在25℃～300℃温度范围内荧光热猝灭率几乎为零，制备工艺简单，其作为紫外活性介质可适用于制备成大功率或高温下使用的蓝紫光LED器件。