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公开(公告)号：CN107768446B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710722606.X
申请日：2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体器件可以包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层、穿透栅电极和层间绝缘层的沟道层、在栅电极与沟道层之间的栅极电介质层、填充沟道层的内部的至少一部分的填充绝缘体、在沟道层与填充绝缘体之间并且包括高k材料和/或金属的电荷固定层、以及连接到沟道层并在填充绝缘体上的导电焊盘。导电焊盘可以与电荷固定层物理分离。
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公开(公告)号：CN110690198A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910287858.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有彼此分开的第一通孔和第二通孔；无源组件，设置在所述第一通孔中；半导体芯片，设置在所述第二通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面；第一包封剂，覆盖所述无源组件的至少部分并填充所述第一通孔的至少部分；第二包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少部分并填充所述第二通孔的至少部分；以及连接结构，设置在所述框架、所述无源组件和所述半导体芯片的有效表面上并包括电连接到所述无源组件和所述半导体芯片的所述连接焊盘的布线层。所述第二包封剂的电磁波吸收率比所述第一包封剂的电磁波吸收率高。
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公开(公告)号：CN102783124B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180012253.5
申请日：2011-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F9/454 , G06F3/018 , G06F3/0235 , G06F3/0237 , G06F3/0481
Abstract: 提供了一种在便携式装置中的文本输入方法以及支持该方法的便携式装置。便携式装置包括：触摸屏，包括显示单元和触摸面板，显示单元用于显示包括至少一个辅音和元音的文本输入区域和文本显示区域，触摸面板被设置在显示单元的上侧用于产生触摸事件；控制单元，控制根据从触摸屏产生的触摸事件显示的文本，其中，控制单元检测在文本输入区域上输出的至少两个键图标的多点触摸事件，控制由基于检测的多点触摸事件的多点触摸的键图标的组合组成的特定文本的显示。
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公开(公告)号：CN101354915A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810094944.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807385B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201810287923.8
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。
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公开(公告)号：CN109390314B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201810890497.7
申请日：2018-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件的连接系统，所述半导体封装件的连接系统包括：印刷电路板；第一半导体封装件，设置在印刷电路板的第一表面上并通过第一电连接结构连接到印刷电路板；第二半导体封装件，设置在印刷电路板的第二表面上并通过第二电连接结构连接到印刷电路板；以及第三半导体封装件，设置在第一半导体封装件上并通过第三电连接结构连接到第一半导体封装件。第一半导体封装件包括应用处理器(AP)，第二半导体封装件包括存储器，第三半导体封装件包括电源管理集成电路(PMIC)。
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公开(公告)号：CN111128667A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910932187.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
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公开(公告)号：CN101533849B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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公开(公告)号：CN101533892A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127435.1
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。
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