公开(公告)号：CN108807385A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810287923.8

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵容锡 ,  金亨俊 ,  金重浩 ,  罗重渊 ,  金毕奥 ,  安宰永 ,  吴其龙 ,  李圣海

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。

公开(公告)号：CN108807385B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201810287923.8

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵容锡 ,  金亨俊 ,  金重浩 ,  罗重渊 ,  金毕奥 ,  安宰永 ,  吴其龙 ,  李圣海

IPC: H10B12/00 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。