公开(公告)号：CN1869811B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610092874.X

申请日：2006-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  张丞爀 ,  金勋

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。

公开(公告)号：CN101740694A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：CN100490074C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN100463181C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN101328409A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810131709.X

申请日：2008-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  朴永洙 ,  李银河 ,  朴宰撤

IPC: C09K13/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种氧化物类TFT及制造方法、锌氧化物类蚀刻剂及形成方法。具体地讲，提供了一种锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管，该锌氧化物类薄膜晶体管可包括栅极、处于栅极上的栅极绝缘层、包含锌氧化物且可处于栅极绝缘层的一部分上的沟道，以及与沟道的各侧面接触的源极和漏极。锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管还可包括处于源极与漏极之间的沟道中的凹槽，可利用锌氧化物类蚀刻剂来形成该凹槽。

公开(公告)号：CN101315942A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108832.X

申请日：2008-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。

公开(公告)号：CN101226963A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300799.6

申请日：2007-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  林赫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/0688 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/105 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种用于交叉点存储器的用作选择晶体管的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、沟道、源极和漏极。可在部分衬底上形成该栅极。可在该衬底和该栅极上形成栅极绝缘层。该沟道包括ZnO，并且可形成在该栅极之上的该栅极绝缘层上。该源极和漏极接触该沟道的侧面。

公开(公告)号：CN101217157A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001510.5

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  李正贤 ,  裴炯轸 ,  朴永洙

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种包含多晶硅(poly－Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaNx材料层以及形成在TaNx材料层上的poly－Si层。可通过如下步骤来制造包含poly－Si的半导体器件：形成TaNx材料层；通过在TaNx材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成poly－Si层。

公开(公告)号：CN101086969A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710088997.0

申请日：2007-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  赵世泳 ,  殷华湘

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281

Abstract: 本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。

公开(公告)号：CN101013694A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610128596.9

申请日：2006-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  朴永洙 ,  具俊谟 ,  裵丙才 ,  宋利宪 ,  金锡必

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的铁电电容器、具有该铁电电容器的非易失性存储器件及其制造方法。该铁电电容器包括：沟槽型下电极；绝缘中间层，形成在该下电极周围，例如为SiO2层；扩散阻挡层，形成在该绝缘中间层上；铁电层(PZT层)，形成在该下电极和该扩散阻挡层上；以及上电极，形成在该铁电层上。