公开(公告)号：CN101217157A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810001510.5

申请日：2008-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  李正贤 ,  裴炯轸 ,  朴永洙

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供了一种包含多晶硅(poly－Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaNx材料层以及形成在TaNx材料层上的poly－Si层。可通过如下步骤来制造包含poly－Si的半导体器件：形成TaNx材料层；通过在TaNx材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成poly－Si层。

公开(公告)号：CN110072069B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201910052224.X

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康仙 ,  申胜浩 ,  裴炯轸 ,  徐振豪 ,  辛智勋 ,  林茂燮 ,  张永台 ,  郑荣均

IPC: H04N25/70 ,  H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。

公开(公告)号：CN110072069A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910052224.X

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李康仙 ,  申胜浩 ,  裴炯轸 ,  徐振豪 ,  辛智勋 ,  林茂燮 ,  张永台 ,  郑荣均

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。