-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119630090A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411553199.0
申请日：2022-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。
-
公开(公告)号：CN110072069B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
-
公开(公告)号：CN110072069A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
-
公开(公告)号：CN115207004A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210009703.5
申请日：2022-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。
-
公开(公告)号：CN114390226A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111202266.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：多个第一光电二极管，被包括在单位像素的第一区域中并配置为产生电荷；第二光电二极管，被包括在单位像素的第二区域中并配置为产生电荷；第一微透镜，设置在第一区域上方；第二微透镜，设置在第二区域上方；第一浮置扩散区，被包括在第一区域中；第二浮置扩散区，被包括在第二区域中；多个第一转移晶体管，配置为将所述多个第一光电二极管产生的电荷提供给第一浮置扩散区；以及第二转移晶体管，配置为将第二光电二极管产生的电荷提供给第二浮置扩散区。所述多个第一光电二极管的光接收面积之和大于第二光电二极管的光接收面积。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.024 seconds)
