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公开(公告)号：CN118632524A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410249138.9
申请日：2024-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括有源图案阵列，该有源图案阵列包括有源图案、隔离图案、栅极结构、位线结构以及下接触插塞和上接触插塞。隔离图案覆盖有源图案的侧壁。栅极结构在第一方向上延伸穿过有源图案的上部和隔离图案的上部，并且在第二方向上彼此间隔开。位线结构在有源图案和隔离图案的中心部分上，在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开。下接触插塞设置在有源图案的端部上。上接触插塞设置在下接触插塞上。有源图案阵列包括有源图案行，有源图案行包括在第一方向上彼此间隔开的有源图案。
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公开(公告)号：CN118540940A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410176166.2
申请日：2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括沿第一水平方向延伸的字线沟槽；栅介电层，在字线沟槽中；字线，沿第一水平方向延伸并且在字线沟槽的在栅介电层上的下部中；绝缘封盖层，沿第一水平方向延伸并且在字线沟槽的在字线上的上部中；以及多个栅电极，在衬底上，其中，字线包括：字线下部区，沿第一水平方向延伸，并且包括多个栅电极中的在栅介电层上的第一栅电极；以及字线上部区，在字线下部区上沿第一水平方向延伸，并且包括多个栅电极中的多个第二栅电极和多个栅电极中的第一栅电极。
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公开(公告)号：CN107393918B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201710310121.X
申请日：2017-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括在衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括第一绝缘材料和在第一绝缘材料上的第二绝缘材料。该半导体器件包括从堆叠结构的第一绝缘材料的侧壁延伸到堆叠结构的第二绝缘材料的侧壁的一部分上的间隔物。此外，该半导体器件包括在间隔物上的导电线。还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115223920A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210410580.6
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/74 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置包括具有有源区域的衬底和衬底中的字线沟槽。字线沟槽包括具有第一宽度的下部、以及在下部与衬底的表面之间延伸并且具有大于第一宽度的第二宽度的上部。提供了在字线沟槽的底部中延伸并且与字线沟槽的底部相邻的字线。提供了在字线与字线沟槽的下部的侧壁之间延伸的栅极绝缘层。电绝缘栅极封盖层设置在字线沟槽的上部中。提供了在栅极封盖层与字线沟槽的上部的侧壁之间延伸的绝缘衬层。栅极绝缘层在绝缘衬层与栅极封盖层的在字线沟槽的上部内延伸的部分之间延伸。
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公开(公告)号：CN114639677A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111307203.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和围绕存储器单元区的伪单元区，存储器单元区包括多个存储器单元；存储器单元区中的多个有源区，多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，长轴方向是相对于第一水平方向和与第一水平方向正交的第二水平方向的对角线方向，多个有源区中的每一个在与长轴方向正交的短轴方向上具有第一宽度；以及伪单元区中的多个伪有源区，多个伪有源区中的每一个在长轴方向上延伸，多个伪有源区中的每一个在短轴方向上具有比第一宽度大的第二宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231891B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201711108354.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
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公开(公告)号：CN110190109A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910039205.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学研究与商业基金会
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。
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公开(公告)号：CN120018493A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411602570.8
申请日：2024-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：顺序排列的第一连接区域、第一存储块区域和第二连接区域；第一外围电路区域，所述第一外围电路区域与所述第一存储块区域垂直地交叠；第一存储单元，其位于所述第一存储块区域中；第一字线，其穿越所述第一存储块区域延伸到所述第一连接区域和所述第二连接区域中，并且电连接到所述第一存储单元；第一子字线驱动器，其位于所述第一外围电路区域中；以及第一字线信号路径，其电连接所述第一字线和所述第一子字线驱动器。所述第一字线信号路径包括在所述第一连接区域中耦接到所述第一字线的至少一个第一布线接触和在所述第二连接区域中耦接到所述第一字线的至少一个第二布线接触。
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公开(公告)号：CN112239860B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010679035.8
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455 , C23C16/30 , H01L21/02
Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
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公开(公告)号：CN118804585A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311522317.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种示例半导体存储器件包括在第一方向上延伸并且在第二方向上并排地设置的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案均包括在第一方向上彼此间隔开的第一边缘部分和第二边缘部分。成对的字线被设置为与第一有源图案和第二有源图案中的每一者交叉，成对的位线设置在第一有源图案和第二有源图案中的每一者上并且在第三方向上延伸，并且存储节点接触位于第一有源图案的第一边缘部分上。当在第二方向上测量时，存储节点接触在第一高度处的第一宽度大于在第二高度处的第二宽度。第一高度低于第二高度。
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