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公开(公告)号：CN118660454A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410291773.3
申请日：2024-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：有源图案阵列，其包括位于衬底上的有源图案；第一接触结构，其位于每个有源图案的中心部分上；位线结构，其位于第一接触结构上；第二接触结构，其位于每个有源图案的端部；第三接触结构，其位于第二接触结构上；填充图案，其位于位线结构和第三接触结构之间并且包括空隙；以及电容器，其电连接到第三接触结构。有源图案阵列包括在第一方向上彼此间隔开的有源图案行，并且每个有源图案行包括在第二方向上彼此间隔开的有源图案。每个有源图案在第三方向上延伸，并且每个有源图案行中的有源图案在第二方向上对齐。
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公开(公告)号：CN118632524A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410249138.9
申请日：2024-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括有源图案阵列，该有源图案阵列包括有源图案、隔离图案、栅极结构、位线结构以及下接触插塞和上接触插塞。隔离图案覆盖有源图案的侧壁。栅极结构在第一方向上延伸穿过有源图案的上部和隔离图案的上部，并且在第二方向上彼此间隔开。位线结构在有源图案和隔离图案的中心部分上，在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开。下接触插塞设置在有源图案的端部上。上接触插塞设置在下接触插塞上。有源图案阵列包括有源图案行，有源图案行包括在第一方向上彼此间隔开的有源图案。
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公开(公告)号：CN113497039A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110184734.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括：位于基底上的下电极，下电极包括第一下电极部分和第二下电极部分，第一下电极部分沿垂直于基底的顶表面的第一方向延伸并且包括第一主区域和第一顶区域，第二下电极部分在第一下电极部分上沿第一方向延伸并且包括第二主区域和第二顶区域；第一顶支撑图案，围绕第一下电极部分的第一顶区域的侧壁的至少一部分；以及第二顶支撑图案，围绕第二下电极部分的第二顶区域的侧壁的至少一部分，第二下电极部分包括向外突出到第二顶支撑图案的突起。
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公开(公告)号：CN113345802A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110226898.4
申请日：2021-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层；对初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层；以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层，以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
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公开(公告)号：CN118647208A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410219894.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：在衬底上的包括有源图案的有源图案阵列；在每个有源图案的中心部分上的第一接触结构；在第一接触结构上的位线结构；在每个有源图案的端部上的第二接触结构；在第二接触结构上的第三接触结构；以及电连接到第三接触结构的电容器，其中，有源图案阵列包括在平行于衬底的第二方向上彼此间隔开的有源图案行，有源图案行包括在平行于衬底的第一方向上彼此间隔开的有源图案，有源图案在与第一方向/第二方向成锐角的第三方向上延伸，行中的有源图案在第一方向上对准，并且第二接触结构在平面图中具有矩形形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118434130A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410012621.5
申请日：2024-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此相邻的第一和第二有源图案，第一和第二有源图案中的每个包括在第一方向上彼此间隔开的第一边缘和第二边缘；顺序提供在第一有源图案的第一边缘上的第一存储节点焊盘和第一存储节点接触；顺序提供在第二有源图案的第二边缘上的第二存储节点焊盘和第二存储节点接触；以及在第一和第二存储节点接触之间的栅栏图案。第一存储节点接触的底表面和顶表面分别位于第一水平和第二水平。在第三方向上，栅栏图案在第一水平处的宽度小于栅栏图案在第二水平处的宽度。
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公开(公告)号：CN112309985A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010674997.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 提供了制造电容器和半导体器件的方法(即，电容器形成方法和半导体器件形成方法)以及半导体器件和包括该半导体器件的装置。所述电容器形成方法可以包括：在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；在第二模制层上形成掩模图案；使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；在凹部中形成下电极；通过干法清洁工艺去除掩模图案；减小下电极的上部的宽度；去除第一模制层；在下电极的表面上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。
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公开(公告)号：CN119342810A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410178977.6
申请日：2024-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源图案，包括第一边缘部分以及在第一方向上与第一边缘部分间隔开的第二边缘部分；第一字线，在第一边缘部分和第二边缘部分之间并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，在第一边缘部分上并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；以及存储节点接触部，在第二边缘部分上，其中，第一边缘部分包括第一顶表面和第二顶表面，并且第一边缘部分的第二顶表面比第一边缘部分的第一顶表面更靠近第二边缘部分。
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公开(公告)号：CN118829205A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410170910.8
申请日：2024-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储器件，包括：衬底；基底绝缘膜，其位于衬底的上表面上；多个第一导电图案，其位于基底绝缘膜上并且彼此间隔开，其中，多个第一导电图案在第一方向上延伸；间隔物结构，其位于多个第一导电图案的每一个第一导电图案的侧表面上；阻挡金属膜，其位于间隔物结构的侧表面上，其中，阻挡金属膜延伸穿过基底绝缘膜以电连接到衬底；填充金属膜，其位于阻挡金属膜上，其中，填充金属膜填充多个第一导电图案中的相邻第一导电图案之间的空间的至少一部分；以及电容器结构，其位于填充金属膜上，其中，电容器结构电连接到填充金属膜。
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