公开(公告)号：CN117082853A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310420530.0

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚赫 ,  李基硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；字线结构，其与有源区域交叉并在第一方向上延伸；位线结构，其在第二方向上延伸；位线接触件，其将有源区域的第一杂质区域电连接到位线结构；存储节点接触件，其在位线结构的侧壁上并且电连接到有源区域的第二杂质区域；以及接触阻挡层，其覆盖位线接触件的至少一部分，其中，位线接触件包括具有第一宽度的下部和在下部上并具有第二宽度的上部，第一宽度大于第二宽度，并且接触阻挡层覆盖下部的底表面和侧表面。

公开(公告)号：CN111415861A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201911080316.5

申请日：2019-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明东 ,  崔民洙 ,  安浚赫 ,  韩成熙 ,  洪世罗

IPC: H01L21/033

Abstract: 本申请提供了形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法。在目标层上形成第一掩膜层和第二掩膜层。图案化第二掩膜层以形成第二掩膜图案，每个第二掩膜图案具有菱形形状，菱形形状具有第一对角线和第二对角线。通过蚀刻对第二掩膜图案执行修整处理以形成第二掩膜。每个第二掩膜图案的相对的第一顶点的第一部分比每个第二掩膜图案的相对的第二顶点的第二部分蚀刻得更多。相对的第一顶点之间的第一对角线的长度大于相对的第二顶点之间的第二对角线的长度。通过使用第二掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻第一掩膜层，来图案化第一掩膜层以形成第一掩膜。通过使用第一掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻目标层，来图案化目标层以形成目标图案。

公开(公告)号：CN111415861B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN201911080316.5

申请日：2019-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明东 ,  崔民洙 ,  安浚赫 ,  韩成熙 ,  洪世罗

IPC: H01L21/033

Abstract: 本申请提供了形成图案的方法和使用该方法制造半导体装置的方法。在目标层上形成第一掩膜层和第二掩膜层。图案化第二掩膜层以形成第二掩膜图案，每个第二掩膜图案具有菱形形状，菱形形状具有第一对角线和第二对角线。通过蚀刻对第二掩膜图案执行修整处理以形成第二掩膜。每个第二掩膜图案的相对的第一顶点的第一部分比每个第二掩膜图案的相对的第二顶点的第二部分蚀刻得更多。相对的第一顶点之间的第一对角线的长度大于相对的第二顶点之间的第二对角线的长度。通过使用第二掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻第一掩膜层，来图案化第一掩膜层以形成第一掩膜。通过使用第一掩膜作为蚀刻掩膜蚀刻目标层，来图案化目标层以形成目标图案。

公开(公告)号：CN115939098A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210793024.1

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚赫 ,  金熙中 ,  李基硕 ,  李明东

IPC: H01L23/538 ,  H01B1/04

Abstract: 一种半导体装置，包括；有源区，其由衬底上的隔离膜限定；字线，其位于衬底中，该字线在第一方向上延伸并且与有源区交叉；位线，其位于字线上方并且在第二方向上延伸；接触件，其位于在第一方向上相邻的位线之间，该接触件连接有源区并在竖直方向上延伸；以及接触件栅栏，其设置在接触件在第二方向上的相对的侧表面中的每个侧表面上并且在竖直方向上延伸，其中，有源区具有倾斜于第一方向延伸的条形，并且接触件栅栏包括含碳绝缘膜。

公开(公告)号：CN118660454A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410291773.3

申请日：2024-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金熙中 ,  朴相在 ,  朴台镇 ,  安浚赫 ,  尹灿植 ,  李明东

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括：有源图案阵列，其包括位于衬底上的有源图案；第一接触结构，其位于每个有源图案的中心部分上；位线结构，其位于第一接触结构上；第二接触结构，其位于每个有源图案的端部；第三接触结构，其位于第二接触结构上；填充图案，其位于位线结构和第三接触结构之间并且包括空隙；以及电容器，其电连接到第三接触结构。有源图案阵列包括在第一方向上彼此间隔开的有源图案行，并且每个有源图案行包括在第二方向上彼此间隔开的有源图案。每个有源图案在第三方向上延伸，并且每个有源图案行中的有源图案在第二方向上对齐。

公开(公告)号：CN117133709A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310448291.X

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李蕙兰 ,  安浚赫 ,  李基硕

IPC: H01L21/74 ,  H10B12/00

Abstract: 一种集成电路装置包括：衬底，其包括有源区域和字线沟槽；字线，其在字线沟槽中在第一水平方向上纵向地延伸；埋置绝缘层，其位于字线上；导电插塞，其位于衬底上；以及焊盘结构，其位于衬底上，并且具有与有源区域的顶表面接触的部分和与导电插塞接触的部分。焊盘结构包括：导电焊盘，其具有与有源区域的顶表面接触的底表面；以及焊盘间隔件，其与导电焊盘的侧壁接触，并且在与第一水平方向正交的第二水平方向上突出超过字线沟槽的内侧壁，使得焊盘间隔件与字线沟槽中的字线的一部分竖直地重叠。

公开(公告)号：CN116471836A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310061377.7

申请日：2023-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚赫 ,  金孝燮 ,  朴素贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置包括具有有源区和非有源区的衬底。额外焊盘层设置在衬底的有源区上。第一接触层设置在从额外焊盘层的表面起限定在衬底的内部的接触孔中。第一硅化物层设置在第一接触层的两个侧壁上。掩埋绝缘层在第一接触层和第一硅化物层的侧面处掩埋在接触孔中。第二硅化物层设置在额外焊盘层的上表面和侧壁上。第二接触层在掩埋绝缘层和第二硅化物层上，并且与第二硅化物层直接接触。