-
公开(公告)号：CN1828913A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610023694.6
申请日：2006-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。
-
公开(公告)号：CN1763918A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029396.3
申请日：2005-09-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属－氧化物－半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。
-
公开(公告)号：CN1564323A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
-
公开(公告)号：CN1184697C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03115424.7
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种准绝缘体上的硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。其特征在于源漏区下方埋氧是连续的；而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的艺过程是：(1)在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子；(2)在器件沟道区光刻生成掩模；(3)在源漏区第二次注入离子，使源漏区注入的总剂量达到最优剂量；高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧，沟道区下方形成非连续的埋氧；(4)常规CMOS技术完成器件制作。由于沟道下方的埋氧是非连续的，沟道和硅衬底之间电耦合，从而克服了SOI MOSFET器件的浮体效应和自热效应二大固有缺点。
-
公开(公告)号：CN1556540A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310122881.6
申请日：2003-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种场发射显示器件的高真空封装方法，属于场发射显示器领域。该封装方法包括密封玻璃放置步骤、场发射显示器件装配步骤、抽真空步骤、加热封边步骤、冷却步骤，其中场发射显示器件抽真空与加热封边是在真空室中一次完成的。本发明的方法与传统的场发射显示器件封装方法相比，其特点在于：(1)省去了与器件相连接的抽气管道，使抽真空系统与真空室直接匹配，大大提高了抽真空速度和效率；(2)大大简化了器件的封装程序，降低了生产成本；(3)在高温下抽真空(300℃以上)，有助于阴阳极玻璃面板内表面吸附的水分充分排出器件内部空间，使封接后的器件真空度更高、更稳定；(4)由于不需要留排气口，封装后的器件更加美观。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1431701A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115426.3
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。
-
公开(公告)号：CN1431679A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115427.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。
-
公开(公告)号：CN1424754A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160742.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 keV，相应的剂量范围是2.0×1017～7.0×1017cm－2，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(1017cm－2)＝(0.035±0.005)×E(keV)；(3)离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0.5％～20％。采用本发明提供的方法所制备的图形化SOI材料具有平整度高，缺陷密度低，过渡区小等优点，适合于制造集成体硅和SOI电路的系统芯片。
-
公开(公告)号：CN111435642B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201910026963.1
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法，包括：在第二半导体衬底上形成周期结构并进行离子注入形成剥离界面；在第一半导体衬底上的绝缘层中形成凹槽，凹槽未贯穿绝缘层；键合周期结构及绝缘层，以形成空腔；进行退火工艺加强键合强度，并使周期结构从剥离界面处剥离，形成顶半导体层；图形化刻蚀所述顶半导体层并选择性去除牺牲层，以形成悬空并横跨于所述凹槽上的半导体纳米线结构。本发明先制作出图形化结构的SOI衬底，该SOI衬底可通过干法刻蚀直接制备镂空且向上堆叠的半导体纳米线，在刻蚀出半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。
-
公开(公告)号：CN111435643B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910027361.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供一种三维堆叠的环栅晶体管的制备方法，方法包括：1)提供SOI衬底，其绝缘层中形成有凹槽；2)形成悬空并横跨于凹槽上且向上堆叠的半导体纳米线结构；3)对半导体纳米线结构进行圆化及减薄；4)于沟道区表面形成注入阻挡层，其显露源区及漏区的制备区域；5)进行离子注入以形成源区及漏区；6)于半导体纳米线表面形成全包围式的栅介质层及栅电极层，并图形化形成栅极结构；7)形成源电极及漏电极。本发明的环栅晶体管采用后栅工艺制备，可有效提高栅极材料的选择范围，从而实现不同的器件性能要求。本发明在刻蚀半导体纳米线时，不需要进行各项同性的湿法腐蚀，可有效避免内凹性空腔的产生。本发明可有效提高器件的集成度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
476
records
(took 0.063 seconds)
