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公开(公告)号：CN1252501C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200310108863.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。
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公开(公告)号：CN1223881C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03141411.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现，且两相邻调制波导的轴线相互垂直，在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列，解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾；同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向，调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵活连接。本器件结构紧凑、尺寸小、便于实现集成化，采用常规硅微电子加工工艺制作。
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公开(公告)号：CN1544967A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310108863.2
申请日：2003-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得，而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角；此外，通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1564323A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN100342492C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03115827.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2或SlH4作为硅源，外延掺杂类型可以根据需要选择，外延生长前衬底用H2高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5～10μm，沉积速率为0.3～0.8μm/min。
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公开(公告)号：CN1315194C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN1479136A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03141411.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各向异性腐蚀特性或反应离子刻蚀技术制得的全内反射波导实现，且两相邻调制波导的轴线相互垂直，在短距离、小面积范围内实现了调制波导的紧凑排列，解决了载流子吸收型硅波导光强度调制器的调制深度与器件长度之间的矛盾；同时通过设计、调整全内反射波导的位置和方向，调制波导可以与不同位置的输入输出波导实现灵活连接。本器件结构紧凑、尺寸小、便于实现集成化，采用常规硅微电子加工工艺制作。
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公开(公告)号：CN1440052A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03115827.7
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCl4，SiHCl3，SiH2Cl2或SiH4作为硅源，外延掺杂类型可以根据需要选择，外延生长前衬底用H2高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5～10μ，沉积速率为0.3～0.8μ/min。
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