公开(公告)号：CN1199249C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN03115427.1

申请日：2003-02-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  王湘 ,  张继华 ,  易万兵 ,  金波

IPC: H01L21/425

Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。

公开(公告)号：CN1431679A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03115427.1

申请日：2003-02-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 董业民 ,  王曦 ,  陈猛 ,  陈静 ,  王湘 ,  张继华 ,  易万兵 ,  金波

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。