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公开(公告)号：CN1135588C
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN01132287.X
申请日：2001-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1-3W/cm3，处理时间5-60分钟，采用H2或含氢的化合物，经本发明提供的方法处理，可使CNT薄膜的电流密度提高3倍，阈值强度降低3倍多，电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高，对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合，全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。
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公开(公告)号：CN1349241A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01132287.X
申请日：2001-11-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法,属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的CNT薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺;而直接生长法制备的CNT薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺,等离子体表面处理的工艺参数是功率密度0.1－3W/cm3,处理时间5－60分钟,采用H2或含氢的化合物,经本发明提供的方法处理,可使CNT薄膜的电流密度提高3倍,阈值强度降低3倍多,电子发射点密度可提高3个数量级以上且均匀性明显提高,对移植法生长的薄膜阴极通过二种处理工艺有机结合,全面提高CNT薄膜阴极的场发射性能。
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公开(公告)号：CN1556540A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310122881.6
申请日：2003-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种场发射显示器件的高真空封装方法，属于场发射显示器领域。该封装方法包括密封玻璃放置步骤、场发射显示器件装配步骤、抽真空步骤、加热封边步骤、冷却步骤，其中场发射显示器件抽真空与加热封边是在真空室中一次完成的。本发明的方法与传统的场发射显示器件封装方法相比，其特点在于：(1)省去了与器件相连接的抽气管道，使抽真空系统与真空室直接匹配，大大提高了抽真空速度和效率；(2)大大简化了器件的封装程序，降低了生产成本；(3)在高温下抽真空(300℃以上)，有助于阴阳极玻璃面板内表面吸附的水分充分排出器件内部空间，使封接后的器件真空度更高、更稳定；(4)由于不需要留排气口，封装后的器件更加美观。
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