公开(公告)号：CN104025282B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201280046776.6

申请日：2012-09-26

申请人： 格芯公司

发明人： 郑政玮 ,  李宁 ,  徐崑庭

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813

摘要： 提供了一种从下面的基底衬底去除多个半导体器件层的方法。在基底衬底上形成多层叠层，该多层叠层包括牺牲材料层和半导体材料层的交替层。所形成的每个连续的牺牲材料层比先前形成的牺牲材料层更厚。由于牺牲材料层的厚度差，每个牺牲材料层以不同的速率蚀刻，较厚的牺牲材料层比较薄的牺牲材料层蚀刻得更快。然后进行蚀刻，该蚀刻首先去除所述多层叠层中的最厚的牺牲材料层。因此该多层叠层中的最上部半导体器件层首先被释放。随着蚀刻继续，其它牺牲材料层以厚度减小的顺序被依次去除，并且其它半导体器件层被依次去除。

公开(公告)号：CN107624197A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201680016407.0

申请日：2016-03-18

申请人： 密歇根大学董事会

发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 ,  李圭相 ,  范德久

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/78 ,  C09K13/00 ,  C30B33/08 ,  H01L21/7813 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0079 ,  Y02E10/50

摘要： 本文公开了消除或减少外延剥离的薄膜外延层在次级主衬底上的剥落的方法，所述方法允许制造高得率的ELO加工的薄膜器件。所述方法利用了图案化的减轻应变的沟槽。

公开(公告)号：CN104733286B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410699689.1

申请日：2014-11-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·巴伊拉姆 ,  S·W·比德尔 ,  K·E·福格尔 ,  J·A·奥特 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明涉及包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。本发明提供包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。形成嵌入在Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面。与提供所述Ⅲ族氮化物材料层并且嵌入所述剥落释放平面的所述Ⅲ族氮化物材料部相比，剥落释放平面包括具有不同的应变、不同的结构和不同的组成的材料。剥落释放平面在Ⅲ族氮化物材料层之内提供削弱的材料平面区域，其在随后进行的剥落工艺期间可被用于将Ⅲ族氮化物材料的一部分从初始Ⅲ族氮化物材料层释放。特别地，在剥落工艺期间，在嵌入在初始Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面内发生裂缝萌生和传播。

公开(公告)号：CN104465553B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201410840628.2

申请日：2014-12-30

申请人： 立昌先进科技股份有限公司

发明人： 连清宏 ,  黄兴祥 ,  黄兴材 ,  许鸿宗 ,  陈逸伟

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/075 ,  H01L23/538 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/02 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/32168 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/15798 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/186 ,  H05K1/117 ,  H05K1/144 ,  H05K1/145 ,  H05K3/403 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83

摘要： 本发明公开一种小型化表面黏着型二极体封装元件及其制法，使用底面设有一正电极及一负电极的二极体晶粒，且以线路板取代现有导线架进行封装及运用光耦合元件(CCD)影像定位技术进行植晶及固晶，不但制程简单及成本低帘，且适用于制成愈来愈小型化的电子元件外，还解决及突破小型化二极体晶粒使用导线架进行封装所导致的安装精度问题，所制成的小型化表面黏着型(SMD)二极体封装元件，可稳定表现小型化二极体晶粒的原有特性，没有失真或失效的问题。

公开(公告)号：CN106298456A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610830637.2

申请日：2016-09-19

申请人： 成都海威华芯科技有限公司

发明人： 黎明

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/02016 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7813 ,  H01L2221/68386

摘要： 本发明提供了一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在Si基衬底上的GaN功率半导体器件转移至目标Cu衬底上。该方法是一种全新的衬底转移技术，大的热传导系数的Cu基板可以有效的帮助GaN功率半导体器件散热，消除高功率晶体管的自热效应，同时可降低GaN功率器件的功耗及提高设备在高温下的可靠性。该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代毫米波雷达收发组件（T/R）组件以及复杂宇航级领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。

公开(公告)号：CN103155114B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180038489.6

申请日：2011-08-04

申请人： 森普留斯公司

发明人： M.梅特尔 ,  C.鲍威尔 ,  E.梅纳 ,  J.卡特 ,  A.格雷 ,  S.博纳菲德

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/78 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813 ,  H01L23/053 ,  H01L23/28 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/048 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1892 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制造可转印半导体器件的方法包括在衬底上提供包括磷化铟铝的释放层，并且在所述释放层上提供支撑层。所述支撑层和所述衬底包括各自的材料，如基于砷化物的材料，以使得所述释放层相对于所述支撑层和所述衬底具有蚀刻敏感性。在所述支撑层上提供至少一个器件层。选择性地蚀刻所述释放层，而基本上不蚀刻所述支撑层和所述基板。还公开了相关结构和方法。

公开(公告)号：CN105552089A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610027120.X

申请日：2016-01-15

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 邢建国 ,  赛加坐 ,  喻娟 ,  王凤

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/78

CPC分类号： B32B37/1284 ,  B32B3/16 ,  B32B7/12 ,  B32B38/10 ,  B32B43/006 ,  B32B2307/208 ,  B32B2327/06 ,  B32B2367/00 ,  B32B2457/20 ,  G02F1/133305 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/7813

摘要： 一种基板结构及其柔性基板的贴附方法、剥离方法，该基板结构包括：载体基板，设置在载体基板上的柔性基板，还包括：夹在载体基板和柔性基板之间的一个或多个并排设置的粘结层；粘结层包括在磁场的作用下粘性强度进行转变的磁粘性层；粘结层与柔性基板接触的一侧具有该磁粘性层。由于该基板结构中在柔性基板一侧设置了在磁场的作用下粘性强度可以进行转变的磁粘性层，这样只需在磁场的作用下，通过磁粘性层即可实现柔性基板在制作过程中的贴附及剥离，且载体基板和粘结层可以回收利用。

公开(公告)号：CN104538284A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410842151.1

申请日：2014-12-30

申请人： 西安交通大学

发明人： 云峰 ,  张国伟

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/7813

摘要： 本发明公开了一种在硅片上集成化合物半导体器件的工艺，其特征在于，在衬底材料上初步加工完成化合物半导体部件后，通过在硅片上加工形成相应的金属布线方式，使该化合物半导体部件在倒置后，部件的引出端与硅片上的金属引线指定位置相键合，形成对化合物半导体器件的电性连接以及机械支撑。通过此加工方法，化合物半导体器件的衬底材料可在剥离后重复利用，大幅缩减在化合物半导体加工过程中衬底材料的成本。

公开(公告)号：CN104022062A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410262342.0

申请日：2014-06-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 任庆荣 ,  郭炜

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/003 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L21/682 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明公开了一种柔性显示面板的制备方法，涉及显示技术领域，无需在进行激光剥离之前对需剥离的柔性材料层进行精确对位，降低了制备工艺的难度，提高了柔性显示面板的生产效率。该柔性显示面板的制备方法，包括：提供形成有所述柔性显示面板的透明基板；设定激光照射路径，利用激光在承载基板形成标记区域；将所述透明基板固定设置于所述承载基板上，所述柔性显示面板对应所述标记区域放置且位于所述透明基板和所述承载基板之间；根据所述激光照射路径，自所述透明基板一侧照射，将所述柔性显示面板自所述透明基板剥离。

公开(公告)号：CN103928358A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410145640.1

申请日：2014-04-14

申请人： 河南省科学院应用物理研究所有限公司

发明人： 宋晓辉 ,  赵兰普 ,  张萍 ,  梁楠 ,  庄春生 ,  宋超 ,  王其富

IPC分类号： H01L21/60 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L21/32051 ,  B81C1/00031 ,  H01L21/7813

摘要： 本发明提供了一种垂直碳纳米管阵列向金属基底转移的方法，首先在基于化学气相沉积方法制备的垂直定向碳纳米管阵列端部溅射纳米金属颗粒，之后与转移目标金属衬底进行对准，施加一定压力，再利用局部感应加热的方法实现碳纳米管与金属衬底的键合，最后将生长碳纳米管的衬底剥离，即实现垂直碳纳米管阵列向金属衬底的转移。本发明提供的垂直碳纳米管阵列向金属衬底的转移方法，操作简单，局部非接触的加热方式对器件损伤较小，而且适合大面积的碳纳米管薄膜转移，在碳纳米管器件和电子封装热界面材料领域具有广泛的应用前景。