公开(公告)号：CN101238538A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028482.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·范德波特 ,  Y·Z·黄

IPC: H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种用于减轻与离子注入有关的污染的系统、方法、以及装置。本发明提供离子源、终点站、以及设置在离子源与终点站之间的质量分析器，其中由离子源形成离子束，且根据射束阻挡组件的位置，选择性地经由质量分析器将离子束传送至终点站。该射束阻挡组件选择性地防止离子束进入和/或射出质量分析器，因此将转换期间例如离子注入系统开机期间与不稳定离子源有关的污染最小化。

公开(公告)号：CN101120427A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004939.9

申请日：2006-02-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 安东尼·雷诺 ,  艾立克·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  葛登·恩吉尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。

公开(公告)号：CN1473347A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01818486.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： E·R·哈林顿 ,  V·M·本维尼斯特 ,  M·A·格拉夫 ,  R·D·拉斯梅尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02 ,  H01J37/30 ,  H01J3/40

CPC classification number: H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种用于禁止污染粒子与离子束(16)一起传输的系统包括一个电场发生器(12、14)，用于产生相对于离子束(16)的行进路径(20)的电场(28)。位于电场(28)的一个区域内并且位于离子束(16)中的粒子(66)充电至与离子束(16)相匹配的极性，以便使得电场(28)可以推动带电粒子(66)移出离子束(16)。

公开(公告)号：CN107851546A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043780.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 阿曼·候赛诺维奇 ,  约瑟夫·费拉拉 ,  布瑞·泰瑞

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/18 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明涉及一种将离子注入处理腔室(122)内的工件(118)的离子注入系统(100)，其进一步包括耦接至处理腔室的装载锁定腔室(136)及隔离腔室(146)，其中限定预注入冷却环境。隔离闸阀(150)选择性使预注入冷却环境与处理环境隔离，其中隔离腔室包括用于支撑并冷却工件的工件支撑件(152)。隔离闸阀是工件进入和离开隔离腔室的唯一进入路径。加压气体源(159)选择性将预注入冷却环境加压至大于处理压力的预注入冷却压，以使工件迅速冷却。工件转移臂(164)在各个腔室之间转移工件。控制器(166)经由对隔离闸阀、预注入冷却工件支撑件及加压气体源的控制而控制工件转移臂，并选择性使工件在隔离腔室中在预注入冷却压力下冷却至预注入冷却温度。

公开(公告)号：CN106373846A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201611009755.3

申请日：2016-11-16

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 时锋 ,  赖朝荣 ,  王智 ,  苏俊铭

IPC: H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/1472 ,  H01J2237/151 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，包括下列步骤：由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子；负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子；所述正离子通过加速后，通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流；在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，通过在能量筛选电磁场后，增加一个对束流垂直偏转方向的电场，筛选出需要的能量源种束流，将不满足能量要求的金属等注入消除，从而降低金属污染。

公开(公告)号：CN104106123B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380004763.7

申请日：2013-01-14

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 爱德华·艾伊斯勒 ,  伯·范德伯格

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16

CPC classification number: H01J37/147 ,  G01K5/00 ,  H01J37/05 ,  H01J37/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明涉及用于减少能量杂质的方法及装置，可用于粒子注入的束线组合。突出部包括表面区域及其间槽部的突出部可面向束线组合内从工件角度观察的视线域内的中性原子轨迹。突出部可使中性原子轨迹的路线变作远离工件或引起其它轨迹，用于在击中工件前进一步撞击，并由此对敏感度更佳的注入进一步减少能量杂质。

公开(公告)号：CN102473575B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201080031271.3

申请日：2010-07-15

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/09 ,  H01J37/317 ,  H01J3/40 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 提供一种用于在离子植入系统中减少粒子污染的设备。该设备包括外壳(250)，该外壳具有入口(260)、出口(262)和至少一个进气口叶片侧(264)，所述至少一个进气口叶片侧具有在其内限定的多个进气口叶片(266)。离子植入系统的射束线(P)通过该入口和出口，其中所述至少一个进气口叶片侧的多个进气口叶片被配置成机械地过滤沿射束线行进的离子束的边缘。该外壳可具有两个进气口叶片侧(254A，B)和一个进气口叶片顶部(278)，其中当垂直于该射束线测量时，该外壳的入口和出口的各自的宽度大致由两个进气口叶片侧相对于彼此的位置限定。所述进气口叶片侧的一个或多个可调整地安装，其中该外壳的入口和出口中的一个或多个的宽度可控制。

公开(公告)号：CN101296881B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200680040106.8

申请日：2006-10-12

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 齐藤清 ,  横山文昭 ,  铃木均 ,  安藤温子 ,  东城哲朗 ,  筱原诚治

IPC: C04B35/52 ,  C01B31/04 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C04B35/522 ,  C04B35/532 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm-1处的D谱带强度除以1570cm-1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。

公开(公告)号：CN101379583B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200680053147.0

申请日：2006-12-20

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 威廉·雷诺斯 ,  克里斯托弗·雷格登 ,  威廉·狄佛吉利欧 ,  辛·乔伊丝 ,  丹尼尔·堤格

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  B08B7/0035 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种用于从离子源内表面清除沉积的沉积清洁系统，包括：氟源、节流机构、以及控制器。氟源将氟作为清洁材料供至离子源。节流机构通过至少部分覆盖源孔径的方式，减少通过离子源的源孔径的氟损失。控制器控制从氟源到离子源的供氟以及流速，还控制节流机构的定位。

公开(公告)号：CN101238538B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200680028482.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·范德波特 ,  Y·Z·黄

IPC: H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种用于减轻与离子注入有关的污染的系统、方法、以及装置。本发明提供离子源、终点站、以及设置在离子源与终点站之间的质量分析器，其中由离子源形成离子束，且根据射束阻挡组件的位置，选择性地经由质量分析器将离子束传送至终点站。该射束阻挡组件选择性地防止离子束进入和/或射出质量分析器，因此将转换期间例如离子注入系统开机期间与不稳定离子源有关的污染最小化。