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公开(公告)号：CN101627529A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880005779.9
申请日：2008-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H02M7/10
CPC classification number: H02M7/103
Abstract: 一种离子注入系统的电源供应系统。在一实施例中，此系统可为一种电源供应系统，其包括低频电源变换器、堆栈式驱动器以及从电源变换器接收源电力的高压发电单元。高压发电单元可包括用以提供输出电力的高压变压器，输出电力倍增到所需的输出电平并且输送到离子束加速器的输入端。电源供应系统还可包括介电外壳，其包围高压发电单元的至少一部份，藉此避免内部元件的崩溃强度变化。
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公开(公告)号：CN101103432A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
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公开(公告)号：CN112640025B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
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公开(公告)号：CN110431650A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880018758.4
申请日：2018-03-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 詹姆斯·艾伦·皮克斯利
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/12
Abstract: 本文提供通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积的方式。在一种方式中，导电束光学器件可为具有沿离子束线设置的多个导电束光学器件的静电过滤器的一部分，其中至少一个导电束光学器件包括形成在外表面中的多个沟槽。在一些方式中，可将电源供应器设置成与所述多个导电束光学器件连通，其中电源供应器被配置成向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。所述多个沟槽可沿导电束光学器件的长度设置成螺旋形图案，和/或平行于导电束光学器件的纵轴进行取向。
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公开(公告)号：CN101371328B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101120427B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680004939.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/244
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/004 , H01J2237/24405 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种静电抑制型的法拉第筒与能量污染监测器的混合装置及使用所述装置的相关方法。本发明的装置可选择性地测量离子束的两种特性，例如测量减速离子束的电流及能量污染程度。根据本发明一方面，本发明提供的离子束测量装置包括：用来接收离子束的光圈；配置在光圈旁的负偏压电极；配置在负电压电极旁的正偏压电极；配置在正偏压电极旁的选择偏压电极；以及收集器。其中，选择偏压电极可选择性地选定为负偏压或正偏压。
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公开(公告)号：CN101103432B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
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公开(公告)号：CN110431650B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880018758.4
申请日：2018-03-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 詹姆斯·艾伦·皮克斯利
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/12
Abstract: 本发明提供一种离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本发明通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。
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公开(公告)号：CN112640025A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种半导体处理设备，其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中，离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。
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公开(公告)号：CN101371328A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002667.3
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/304
CPC classification number: H01J37/244 , G01B15/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24578 , H01J2237/31701 , H01J2237/31703
Abstract: 一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置。感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
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