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公开(公告)号：CN115485971A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031854.4
申请日：2021-04-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 声波谐振器装置包括附着到基板的压电板。压电板的一部分形成悬置在基板中的空腔上方的振膜。第一导体级包括：第一叉指式换能器(IDT)一级母线和第二IDT一级母线，沿振膜的相对侧设置；以及第一IDT指集合和第二IDT指集合，分别从第一母线和第二母线延伸，其中，第一IDT指集合和第二IDT指集合是交错的并且设置在振膜上。第二导体级包括分别与第一母线和第二母线的至少一部分重叠的第一二级母线和第二二级母线。第一二级母线和第二二级母线的延伸到振膜上的部分具有倒圆角。
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公开(公告)号：CN118573147A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410674746.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激励压电板中的剪切声波。
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公开(公告)号：CN118369852A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081621.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 道格·雅乔夫斯基 , 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 布莱恩特·加西亚 , 帕特里克·特纳
Abstract: 一种滤波器(1300)包括第一并联谐振器(Sh1)和第二并联谐振器(Sh2)、与声学梯形滤波器电路中的第一并联谐振器和第二并联谐振器连接的至少一个串联谐振器(Slx4)、以及第一接地接触焊盘(GND1)。第一并联谐振器(Shi)具有两个或更多个第一子谐振器(Sh1A、Sh1B)，并且第二并联谐振器具有两个或更多个第二子谐振器(Sh2A、Sh2B、Sh2C)。至少一个第一子谐振器和两个或更多个第二子谐振器中的至少一个但不是全部第二子谐振器连接到第一接地接触焊盘。
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公开(公告)号：CN113557663B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202080018806.7
申请日：2020-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 帕特里克·特纳 , 迈克·艾迪 , 安德鲁·凯 , 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 查尔斯·钟
Abstract: 公开了声波谐振器器件和滤波器。压电板附接到基板，压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。第一导体图案，在压电板的表面上形成。第一导体图案包括布置在隔膜上的叉指换能器的交错指状物，以及第一多个接触焊盘。第二导体图案，在基部的表面上形成，第二导体图案包括第二多个接触焊盘。第一多个接触焊盘中的每个焊盘直接接合到第二多个接触焊盘中的相应焊盘。在压电板的周边和基部的周边之间形成环形密封。
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公开(公告)号：CN117321913A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035105.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波器件包括压电层以及第一谐振器和第二谐振器。第一谐振器包括位于压电层上的第一功能电极和第一介电膜。第二谐振器包括位于压电层上的第二功能电极和第二介电膜。第一谐振器和第二谐振器使用厚度谐振模式。压电层包括分别包括第一谐振器和第二谐振器的部分的第一谐振器部分和第二谐振器部分。第一谐振器的谐振频率低于第二谐振器的谐振频率，并且第一谐振器部分的厚度大于第二谐振器部分的厚度，并且满足ts1/tp1≤ts2/tp2，其中，tp1、tp2、ts1和ts2分别为第一谐振器部分和第二谐振器部分以及第一介电膜和第二介电膜的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117177653A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311214365.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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公开(公告)号：CN117177652A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311212339.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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公开(公告)号：CN117177651A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311211988.1
申请日：2020-08-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 帕特里克·特纳 , 罗伯特·B·哈蒙德
IPC: H10N30/87
Abstract: 公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
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公开(公告)号：CN116915204A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310390355.5
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种体声学谐振器，包括：衬底、压电板和形成在压电板的前表面上的叉指换能器(IDT)。该IDT被配置为在压电板内激发初级剪切声学模式。还包括在压电板的前表面和后表面中的至少一个上的半λ介电层，其中，半λ介电层的厚度与半λ介电层中的基本剪切体声波谐振的波长相关。该设备还包括夹持在衬底的表面和压电板的后表面之间的声学布拉格反射器，该声学布拉格反射器被配置为反射初级声学模式。声学布拉格反射器的交替层的顶层接触压电板或半λ介电层。
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公开(公告)号：CN116545407A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310513628.0
申请日：2020-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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