公开(公告)号：CN104704638A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380054450.2

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  田中哲弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/26 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过抑制其电特性的变化来提供一种包括氧化物半导体的极可靠半导体器件。氧从设置在氧化物半导体层下面的基绝缘层以及设置在氧化物半导体层之上的栅绝缘层提供给其中形成沟道的区域，由此填充可能在沟道中生成的氧空位。此外，抑制通过氧化物半导体层中形成的沟道附近的源电极层或漏电极层从氧化物半导体层提取氧，由此抑制可能在沟道中生成的氧空位。

公开(公告)号：CN103681805A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310419349.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  津吹将志

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。

公开(公告)号：CN1555098B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200410069425.4

申请日：2002-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  楠山义弘 ,  小野幸治 ,  小山润

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H01L51/20 ,  H04N5/225 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/4846 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/02367 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。象素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。

公开(公告)号：CN101217150B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710154325.5

申请日：2003-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  矶部敦生 ,  宫入秀和 ,  须泽英臣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供有高电流驱动能力、能够高速运转并在多个半导体元件中几乎没有变化的半导体元件。它以下述事实为特征：半导体元件有包括多个晶体取向的第一结晶半导体区，第一结晶半导体区连接到导电的第二结晶半导体区，其中第一结晶半导体区在平行于在绝缘表面上的线形条状图形中延伸的绝缘膜的方向延伸，且第二结晶半导体区被提供，包括以线形条状图形延伸的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1652351B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510054405.4

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜，所述半导体膜至少包括成为高电阻率区的第一区和成为漏区的第二区，在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；在所述半导体膜上形成栅电极，所述栅绝缘膜介于其间，其中所述半导体膜的所述第二区从所述栅绝缘膜露出；形成覆盖所述半导体膜、所述栅绝缘膜及所述栅电极的金属膜，其中所述金属膜与所述半导体膜的所述第二区接触；通过向所述第一区掺入杂质，以第一浓度产生一种导电类型，形成所述高电阻率区；通过向所述第二区掺入杂质，以高于所述第一浓度的第二浓度产生所述一种导电类型，形成一个漏区；其中在所述第一区上不形成所述金属硅化物层。

公开(公告)号：CN100485950C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610095692.8

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区，LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN100397218C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410085055.3

申请日：2001-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、以及源区和漏区，且LDD区与第一栅电极重叠，栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN101197394A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710196482.2

申请日：2007-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田佳寿子 ,  笹川慎也 ,  须泽英臣

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置通过使用SOI衬底而制造，并且防止起因于设置为岛状的硅层的端部的缺陷且提高可靠性。该半导体装置具有如下结构：包括在支撑衬底上依次层合有绝缘层及岛状硅层的SOI衬底、设置在岛状硅层的一个表面上及侧面的栅绝缘层、以及中间夹着栅绝缘层而设置在岛状硅层上的栅电极。此时，对栅绝缘层来说，跟接触于岛状硅层的一个表面上的区域相比，接触于岛状硅层的侧面的区域的介电常数小。

公开(公告)号：CN101123219A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200610110958.1

申请日：2006-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/32 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 根据本发明的一个特征，根据以下步骤制造显示设备：形成半导体层；在半导体层上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅电极层；形成与半导体层接触的源电极层和漏电极层；形成电连接到源电极层或漏电极层的第一电极层；在第一电极层的一部分，栅电极层，源电极层和漏电极层上形成无机绝缘层；使该无机绝缘层和第一电极层进行等离子体处理；在已进行等离子体处理的无机绝缘层和第一电极层上形成电致发光层；和在电致发光层上形成第二电极层。

公开(公告)号：CN101009292A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710085019.0

申请日：2002-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  楠山义弘

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/3241 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L51/5203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的布线具有层叠结构，它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层)，由选自W和Mo，或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成；低阻的第二导电层(第二层)，其具有小于第一宽度的第二宽度，由主要含Al的合金或化合物制成；及第三导电层(第三层)，其具有小于第二宽度的第三宽度，由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构，使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状，使得能够获得令人满意的覆盖范围。