微结构以及微机电装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1962409B

    公开(公告)日:2011-07-06

    申请号:CN200610146343.4

    申请日:2006-11-10

    CPC classification number: B81C1/00476

    Abstract: 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目,并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后,通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状,可以形成大小不同的牺牲层。

    微机电装置以及其制造方法

    公开(公告)号:CN101108720A

    公开(公告)日:2008-01-23

    申请号:CN200710137047.2

    申请日:2007-07-19

    CPC classification number: H01L29/84 B81B2201/034 B81C1/00246 B81C2203/0742

    Abstract: 本发明的目的在于:通过相同的工序,将微机电装置包括的微结构和电路制造在相同的绝缘表面上。本发明的微机电装置集成有在具有绝缘表面的衬底上包括晶体管的电路和微结构。微结构包括具有与晶体管的栅绝缘层以及在栅绝缘层上设计的半导体层的叠层体相同的叠层结构的结构层。就是说,结构层包括由与栅绝缘层相同的绝缘膜形成的层,并且还包括与晶体管的半导体层相同的半导体膜形成的层。进而,微结构通过将用于晶体管的栅电极、源电极、漏电极的导电层用作牺牲层来制造。

    存储器件及其制造方法
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1965408A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200580018287.X

    申请日:2005-05-31

    Abstract: 提供了一种用于使用和便宜的存储器件,同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时,仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘,以改变半导体薄膜的状态。

    终端设备和通讯系统
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1874551A

    公开(公告)日:2006-12-06

    申请号:CN200610089962.4

    申请日:2006-05-30

    CPC classification number: G08B3/1008

    Abstract: 本发明的一个目的是提供一种通讯系统,其中在指定区域的用户可以在不运行设备时立即获得信息。该通讯系统具有RFID卡、用于通讯的读写器、主机和信息通讯装置。RFID卡无线地向用于通讯的读写器传送信息和从读写器接收信息。因此用户可以自由地携带RFID卡。在RFID卡中的存储器部分具有可重写存储器部分和不可重写存储器部分。无线地提供用于操作RFID卡所需的电能,其有助于减小RFID卡的尺寸和重量。通过在RFID卡中提供显示部分,可以在显示部分上显示无线传送的信息,并且用户可以立即识别信息。

Patent Agency Ranking