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公开(公告)号：CN1965408A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018287.X
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种用于使用和便宜的存储器件，同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时，仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘，以改变半导体薄膜的状态。
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公开(公告)号：CN100481361C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410076676.5
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01R31/2621 , G01R31/27 , G01R31/2831
Abstract: 本发明的目的是提供一种评估包括半导体、绝缘体和导体的半导体器件的方法。本发明具有向导体施加电压以测量电流值的第一步骤，将电流值除以其中半导体与导体交迭的区域面积来计算电流密度Jg的第二步骤，和通过使用具有半径r的倒数和电流密度Jg的公式Jg＝2A/r+B(A和B分别是常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流和面内泄漏电流的第三步骤。可选择的，本发明具有第一步骤、第二步骤和另一使用具有半导体沟道宽度W的倒数与沟道长度L的倒数及电流密度Jg的公式Jg＝A/W+B/L+C(A、B与C分别为常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流、面内泄漏电流和硅边缘泄漏电流的第三步骤。
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公开(公告)号：CN101151544A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010414.6
申请日：2006-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2607 , G01R31/2822 , G01R31/2884 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L23/66 , H01L2221/68359 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，能够容易地进行物理测试，而没有使特性退化。根据半导体器件的测量方法，用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封提供有包括终端部分的测试元件的元件层；去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜，以形成触及所述终端部分的接触孔；用含有导电材料的树脂填充所述接触孔；在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填充用的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片经由含导电材料的所述树脂电连接起来；以及实施测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474502C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510068687.3
申请日：2005-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。
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公开(公告)号：CN100468741C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580018287.X
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种用于使用和便宜的存储器件，同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时，仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘，以改变半导体薄膜的状态。
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公开(公告)号：CN1580798A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410076676.5
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01R31/2621 , G01R31/27 , G01R31/2831
Abstract: 本发明的目的是提供一种评估包括半导体、绝缘体和导体的半导体器件的方法。本发明具有向导体施加电压以测量电流值的第一步骤，将电流值除以其中半导体与导体交迭的区域面积来计算电流密度Jg的第二步骤，和通过使用具有半径r的倒数和电流密度Jg的公式Jg＝2A/r+B(A和B分别是常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流和面内泄漏电流的第三步骤。可选择的，本发明具有第一步骤、第二步骤和另一使用具有半导体沟道宽度W的倒数与沟道长度L的倒数及电流密度Jg的公式Jg＝A/W+B/L+C(A、B与C分别为常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流、面内泄漏电流和硅边缘泄漏电流的第三步骤。
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公开(公告)号：CN101151544B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200680010414.6
申请日：2006-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2607 , G01R31/2822 , G01R31/2884 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L22/34 , H01L23/66 , H01L2221/68359 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，能够容易地进行物理测试，而没有使特性退化。根据半导体器件的测量方法，用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封提供有包括终端部分的测试元件的元件层；去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜，以形成触及所述终端部分的接触孔；用含有导电材料的树脂填充所述接触孔；在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填充用的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片经由含导电材料的所述树脂电连接起来；以及实施测量。
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公开(公告)号：CN1694223A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068687.3
申请日：2005-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , G02F1/1368 , G09G3/36 , G09G3/38
Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。
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