公开(公告)号：CN1694223A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510068687.3

申请日：2005-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口哲司 ,  浅野悦子 ,  矢崎尚美 ,  二村智哉 ,  西川智子

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。

公开(公告)号：CN100474502C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510068687.3

申请日：2005-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口哲司 ,  浅野悦子 ,  矢崎尚美 ,  二村智哉 ,  西川智子

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。