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公开(公告)号:CN100552893C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200480008213.3
申请日:2004-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 中村理
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66742
Abstract: 在源极线与栅极线交叉的区域有选择地形成岛状层间绝缘膜。例如,使用喷射法,将含有绝缘材料的液体滴下在栅极线与源极线交叉的区域或保持电容形成的区域,通过这样能够削减光刻工序,减少在TFT制造工艺中使用的掩模片数。
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公开(公告)号:CN101083216A
公开(公告)日:2007-12-05
申请号:CN200710108777.X
申请日:2007-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/60 , G06K19/077 , H05K13/04
CPC classification number: H01L23/4985 , G06K19/07718 , H01L21/6835 , H01L23/49855 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05548 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短节拍时间的粘合具有不同配置密度或配置间隔的多个零部件的粘合方法以及粘合装置。此外,本发明的目的在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法以及一种能够以低成本制造半导体器件的制造装置。其中,在改变第一零部件的在x方向上的配置间隔的同时使第一零部件临时固定在第一柔性衬底上后,在改变第一零部件的在y方向上的配置间隔的同时使第一零部件连接到第二柔性衬底上的第二零部件,而将具有不同配置密度的多个组的零部件同时互相粘合在一起。
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公开(公告)号:CN101069222A
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200580041540.3
申请日:2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H01L29/786 , H01L21/3205 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/156 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地,本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外,通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离,可减小布线间的电容。
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公开(公告)号:CN1991587A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200610064238.6
申请日:2006-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: G03F7/70025 , G03F7/7035
Abstract: 激光加工装置,曝光装置和曝光方法。一种曝光装置,包括用于保持要曝光的基底8的平台10;设置在由平台10保持的要曝光的基底8之上的直接写入掩模6;掩模上设有重复开口图案,其中每一个具有近似相同尺寸的多个开口以近似相同的间隔排列成一条线;用于用线性激光束1c沿重复开口图案照射的照射机构;以及用于移动激光束与由平台保持的基底之间的相对位置的移动机构,该激光束是以由激光加工机构形成的线性激光束经过开口图案的多个开口的方式形成的。
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公开(公告)号:CN1765009A
公开(公告)日:2006-04-26
申请号:CN200480008213.3
申请日:2004-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 中村理
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/288 , H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66742
Abstract: 在源极线与栅极线交叉的区域有选择地形成岛状层间绝缘膜。例如,使用喷射法,将含有绝缘材料的液体滴下在栅极线与源极线交叉的区域或保持电容形成的区域,通过这样能够削减光刻工序,减少在TFT制造工艺中使用的掩模片数。
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公开(公告)号:CN1739969A
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN200510096638.0
申请日:2005-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B41J2/165 , B41J2/14016 , B41J2/14201 , B41J2202/05
Abstract: 本发明提供一种液滴排放设备,不会在成分从喷头排放时因干燥、固化等造成不良排放。本发明的一个特点包括设置了成分排放喷孔的喷头部分、从喷孔排放成分的增压装置、向喷头部分底面提供成分的装置,其中对喷头部分底面作亲液处理。作为向喷头部分提供成分的装置,在喷头部分里设置了成分能通过流动的通道,于是向喷头部分底面提供成分。
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公开(公告)号:CN1577775A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410069690.2
申请日:2004-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法,其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有:用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极;在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层;用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层;利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层;用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层;以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层种包含一种导电型杂质的第二半导体层。
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公开(公告)号:CN1577028A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410071231.8
申请日:2004-07-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H05B33/00 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/13624 , G09G3/20 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2310/0289 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时,需要大的幅度来驱动该像素,由此需要高的电源电压。另一方面,当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时,需要自举电路,将超过电源的电压施加给特定的元件。因此,利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明,提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。
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公开(公告)号:CN102569342B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201110373008.9
申请日:2005-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/156 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地,本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外,通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离,可减小布线间的电容。
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公开(公告)号:CN102509733A
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201110320098.5
申请日:2006-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14645 , H01L27/3227 , H01L27/3253 , H01L27/3288 , H01L2227/326 , Y10S257/918
Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷,从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即,发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面,然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路,可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此,可增加每个步骤的自由度,且该处理能够被弹性地改变。此外,能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
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