激光加工装置,曝光装置和曝光方法

    公开(公告)号:CN1991587A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610064238.6

    申请日:2006-09-28

    CPC classification number: G03F7/70025 G03F7/7035

    Abstract: 激光加工装置,曝光装置和曝光方法。一种曝光装置,包括用于保持要曝光的基底8的平台10;设置在由平台10保持的要曝光的基底8之上的直接写入掩模6;掩模上设有重复开口图案,其中每一个具有近似相同尺寸的多个开口以近似相同的间隔排列成一条线;用于用线性激光束1c沿重复开口图案照射的照射机构;以及用于移动激光束与由平台保持的基底之间的相对位置的移动机构,该激光束是以由激光加工机构形成的线性激光束经过开口图案的多个开口的方式形成的。

    制造半导体器件的方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1577775A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410069690.2

    申请日:2004-07-19

    CPC classification number: H01L27/12 H01L27/1292 H01L29/42384 H01L29/66765

    Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法,其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有:用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极;在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层;用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层;利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层;用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层;以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层种包含一种导电型杂质的第二半导体层。

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