公开(公告)号：CN101689592A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022134.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加治亘章 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。

公开(公告)号：CN100547814C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200580030870.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型III族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型III族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

公开(公告)号：CN101522942A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036234.X

申请日：2007-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: C23C16/34 ,  C23C14/06 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可稳定地在基板上成膜出由结晶性良好的III族氮化物化合物半导体形成的多层膜结构的方法。多层膜结构从基板侧起至少包含缓冲层和基底层，采用溅射法成膜出缓冲层和基底层。使缓冲层的成膜温度低于基底层的成膜温度，或使缓冲层的膜厚为5nm～500nm。进而，多层膜结构从基板侧起至少包含基底层和发光层，包括采用溅射法成膜出基底层，并且，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)法成膜出发光层的工序。

公开(公告)号：CN101268562A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

公开(公告)号：CN101213678A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024176.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  篠原裕直 ,  龟井宏二

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。

公开(公告)号：CN100341115C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN01802460.2

申请日：2001-08-17

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 浦岛泰人 ,  奥山峰夫 ,  桜井哲朗 ,  三木久幸

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

公开(公告)号：CN101019243A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030870.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

公开(公告)号：CN102017082B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980115352.9

申请日：2009-03-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  横山泰典

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的Ⅲ族氮化物半导体元件，是在基板(11)上至少层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)而构成的，该缓冲层(12)由AlN形成，该缓冲层(12)的a轴的晶格常数比大块状态下的AlN的a轴的晶格常数小。

公开(公告)号：CN101405876B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780009786.1

申请日：2007-03-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供驱动电压低、且发光效率优越的双面电极型的III族氮化物半导体发光元件。这样的III族氮化物半导体发光元件是，其半导体叠层结构至少具备杂质层30和III族氮化物半导体层2，所述杂质层30含有高浓度层3b和低浓度层3a，所述高浓度层3b由含有高浓度杂质原子的III族氮化物半导体形成，所述低浓度层3a由含有比高浓度层3b浓度低的杂质原子的III族氮化物半导体形成，低浓度层3a与高浓度层3b依次在III族氮化物半导体层2上连续形成。

公开(公告)号：CN101971368A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108694.8

申请日：2009-03-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈部健彦 ,  平岩大介 ,  中田正人 ,  三木久幸 ,  福永修大 ,  篠原裕直

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含发光层(105)的叠层半导体层(20)、在所述叠层半导体层(20)的上面形成的透光性电极(109)以及在所述透光性电极(109)上形成的接合层(110)和焊盘电极(107)，所述焊盘电极(107)由包含从透光性电极(109)侧依次层叠的金属反射层(107a)和连接层(107c)的叠层结构构成，所述金属反射层(107a)包含选自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一种金属或含有该金属的合金。