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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102124567A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131934.6
申请日：2009-08-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供具备表面平坦性优、与半导体基体的界面中的组成的均一性优、且可与肖特基接合层获得足够高粘合性的欧姆接合层的半导体装置。这样的半导体装置，具备：n型SiC半导体基体(1)；与SiC半导体基体(1)的一个主表面(1b)欧姆接触的阴极电极(5)；包括在SiC半导体基体(1)的另一个主表面(1a)形成的p型SiC的第一半导体区域(6a)；包括在另一个主表面(1a)形成的n型SiC的第二半导体区域(6b)；与第一半导体区域(1a)欧姆接触的欧姆接合层(7)；以及与第二半导体区域(6b)肖特基接触的肖特基接合层(8)；其中，欧姆接合层(7)的表面的均方根粗糙度为20nm以下。
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公开(公告)号：CN102124567B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200980131934.6
申请日：2009-08-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供具备表面平坦性优、与半导体基体的界面中的组成的均一性优、且可与肖特基接合层获得足够高粘合性的欧姆接合层的半导体装置。这样的半导体装置，具备：n型SiC半导体基体(1)；与SiC半导体基体(1)的一个主表面(1b)欧姆接触的阴极电极(5)；包括在SiC半导体基体(1)的另一个主表面(1a)形成的p型SiC的第一半导体区域(6a)；包括在另一个主表面(1a)形成的n型SiC的第二半导体区域(6b)；与第一半导体区域(1a)欧姆接触的欧姆接合层(7)；以及与第二半导体区域(6b)肖特基接触的肖特基接合层(8)；其中，欧姆接合层(7)的表面的均方根粗糙度为20nm以下。
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公开(公告)号：CN101268562B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680034699.7
申请日：2006-09-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L27/153 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/24 , H01L33/38
Abstract: 本发明旨在提高III族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。
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公开(公告)号：CN101268562A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034699.7
申请日：2006-09-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L27/153 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/24 , H01L33/38
Abstract: 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。
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