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公开(公告)号：CN102124567A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131934.6
申请日：2009-08-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供具备表面平坦性优、与半导体基体的界面中的组成的均一性优、且可与肖特基接合层获得足够高粘合性的欧姆接合层的半导体装置。这样的半导体装置，具备：n型SiC半导体基体(1)；与SiC半导体基体(1)的一个主表面(1b)欧姆接触的阴极电极(5)；包括在SiC半导体基体(1)的另一个主表面(1a)形成的p型SiC的第一半导体区域(6a)；包括在另一个主表面(1a)形成的n型SiC的第二半导体区域(6b)；与第一半导体区域(1a)欧姆接触的欧姆接合层(7)；以及与第二半导体区域(6b)肖特基接触的肖特基接合层(8)；其中，欧姆接合层(7)的表面的均方根粗糙度为20nm以下。
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公开(公告)号：CN1333120C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200380103002.3
申请日：2003-11-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , C08K7/06 , D01F9/127 , D01F9/1276 , D01F11/124 , D01F11/14 , Y10S977/754 , Y10S977/788 , Y10S977/832 , Y10S977/833 , Y10T428/2913 , Y10T428/2918 , Y10T428/298
Abstract: 一种气态生成的碳纤维，该碳纤维的各纤维丝的支化度为至少0.15个/μm，且表观密度为0.025g/cm3或更小；以及该碳纤维的制造方法，该方法将含有碳源和过渡金属化合物的原料溶液喷洒到反应区中，并使该原料溶液热分解，其特征在于：(1)以3度至30度的喷洒角喷洒该原料溶液，和(2)通过至少一个不同于喷洒原料溶液的入口的部位加入载气；以及一种包含该碳纤维的复合材料。
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公开(公告)号：CN101974803B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010541954.5
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: D01F9/127
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , C08J5/042 , C08K3/04 , C08K7/06 , C08K2201/016 , D01F11/10 , D06M11/34 , Y10S977/754 , Y10S977/832 , Y10S977/833 , Y10S977/84 , Y10T428/2918 , Y10T428/298
Abstract: 本发明涉及一种气相生长的碳纤维，其具有100-200的长径比和具有0.02g/cm2或更低的堆积密度，其中直径在±20％平均纤维直径的纤维丝占全部纤维丝的65％或更多(基于根数)。制备方法包括将载气与包含所述碳源和过渡金属化合物的原料气体混合，使得所述载体的量基于作为所述碳源的1mol有机化合物为1-100mol，随后将所得气体混合物送入所述反应器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101974803A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010541954.5
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: D01F9/127
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , C08J5/042 , C08K3/04 , C08K7/06 , C08K2201/016 , D01F11/10 , D06M11/34 , Y10S977/754 , Y10S977/832 , Y10S977/833 , Y10S977/84 , Y10T428/2918 , Y10T428/298
Abstract: 本发明涉及一种气相生长的碳纤维，其具有100-200的长径比和具有0.02g/cm2或更低的堆积密度，其中直径在±20％平均纤维直径的纤维丝占全部纤维丝的65％或更多(基于根数)。制备方法包括将载气与包含所述碳源和过渡金属化合物的原料气体混合，使得所述载体的量基于作为所述碳源的1mol有机化合物为1-100mol，随后将所得气体混合物送入所述反应器。
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公开(公告)号：CN1711376A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103002.3
申请日：2003-11-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , C08K7/06 , D01F9/127 , D01F9/1276 , D01F11/124 , D01F11/14 , Y10S977/754 , Y10S977/788 , Y10S977/832 , Y10S977/833 , Y10T428/2913 , Y10T428/2918 , Y10T428/298
Abstract: 一种气态生成的碳纤维，该碳纤维的各纤维丝的支化度为至少0.15个/μm，且表观密度为0.025g/cm3或更小；以及该碳纤维的制造方法，该方法将含有碳源和过渡金属化合物的原料溶液喷洒到反应区中，并使该原料溶液热分解，其特征在于：(1)以3度至30度的喷洒角喷洒该原料溶液，和(2)通过至少一个不同于喷洒原料溶液的入口的部位加入载气；以及一种包含该碳纤维的复合材料。
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公开(公告)号：CN102124567B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200980131934.6
申请日：2009-08-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供具备表面平坦性优、与半导体基体的界面中的组成的均一性优、且可与肖特基接合层获得足够高粘合性的欧姆接合层的半导体装置。这样的半导体装置，具备：n型SiC半导体基体(1)；与SiC半导体基体(1)的一个主表面(1b)欧姆接触的阴极电极(5)；包括在SiC半导体基体(1)的另一个主表面(1a)形成的p型SiC的第一半导体区域(6a)；包括在另一个主表面(1a)形成的n型SiC的第二半导体区域(6b)；与第一半导体区域(1a)欧姆接触的欧姆接合层(7)；以及与第二半导体区域(6b)肖特基接触的肖特基接合层(8)；其中，欧姆接合层(7)的表面的均方根粗糙度为20nm以下。
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公开(公告)号：CN1965114B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200580018735.6
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , C08J5/042 , C08K3/04 , C08K7/06 , C08K2201/016 , D01F11/10 , D06M11/34 , Y10S977/754 , Y10S977/832 , Y10S977/833 , Y10S977/84 , Y10T428/2918 , Y10T428/298
Abstract: 本发明涉及一种气相生长的碳纤维，其具有80-500nm的平均纤维直径，100-200的长径比，优选具有0.02g/cm2或更低的堆积密度，其中直径在±20％平均纤维直径的纤维丝占全部纤维丝的65％或更多(基于根数)。制备方法包括：将碳源在800-1300℃下在作为催化剂、并且在150℃下具有0.13kPa(1mmHg)或更高气压的过渡金属化合物的存在下进行热分解，并且将碳源和过渡金属化合物以气体形式喷到反应器的内壁，从而使反应进行。具有较大长径比的气相生长的碳纤维具有优异的分散性，当将其加入树脂时，比使用传统碳纤维的情况要少的碳纤维就使导电性和导热性提高。
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公开(公告)号：CN1965114A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018735.6
申请日：2005-06-07
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: D01F9/127 , B82Y30/00 , C08J5/042 , C08K3/04 , C08K7/06 , C08K2201/016 , D01F11/10 , D06M11/34 , Y10S977/754 , Y10S977/832 , Y10S977/833 , Y10S977/84 , Y10T428/2918 , Y10T428/298
Abstract: 本发明涉及一种气相生长的碳纤维，其具有80－500nm的平均纤维直径，100－200的长径比，优选具有0.02g/cm2或更低的堆积密度，其中直径在±20％平均纤维直径的纤维丝占全部纤维丝的65％或更多(基于根数)。制备方法包括：将碳源在800－1300℃下在作为催化剂、并且在150℃下具有0.13kPa(1mmHg)或更高气压的过渡金属化合物的存在下进行热分解，并且将碳源和过渡金属化合物以气体形式喷到反应器的内壁，从而使反应进行。具有较大长径比的气相生长的碳纤维具有优异的分散性，当将其加入树脂时，比使用传统碳纤维的情况要少的碳纤维就使导电性和导热性提高。
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