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公开(公告)号：CN1930665A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007540.1
申请日：2005-03-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B7/00
Abstract: 本发明目的在于提供一种半导体装置用清洁部件，其必定能够容易地清除粘附在半导体装置内部上的异物，可以带有清楚可读的批量管理用标记，以及可以在与晶圆盒的夹持部分接触时防止产生颗粒。一种半导体装置用清洁部件，其特征在于所述清洁部件包含晶圆1和形成于其至少一面的由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的清洁层2，以及所述清洁层2具有暴露出晶圆表面的部分12；以及特别地具有上述结构的半导体装置用清洁部件，其中清洁层2中暴露出晶圆表面的部分12是是将给定宽度的清洁层在整个环形区域中除去而得到的部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。
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公开(公告)号：CN103681530B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201310341826.X
申请日：2013-08-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与电子部件的粘接性优异的电子部件密封用热固化性树脂片、可靠性高的树脂密封型半导体装置、及其制造方法。本发明涉及一种电子部件密封用热固化性树脂片，其中，相对于全部树脂成分的热塑性树脂的含量为30重量％以下，该热固化性树脂片与形成于硅片上的硅氮化膜粘接并固化后的剪切粘接力在25℃时为15MPa以上、且在260℃时为2MPa以上，该热固化性树脂片与铜板粘接并固化后的剪切粘接力在25℃时为10MPa以上、且在260℃时为0.5MPa以上，该热固化性树脂片与玻璃布基材环氧树脂粘接并固化后的剪切粘接力在25℃时为10MPa以上、且在260℃时为1MPa以上。
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公开(公告)号：CN102559085B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110367402.1
申请日：2011-11-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L23/552 , H01L23/29 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83862 , H01L2924/01019 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01079 , Y10T428/28 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。
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公开(公告)号：CN103681530A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310341826.X
申请日：2013-08-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与电子部件的粘接性优异的电子部件密封用热固化性树脂片、可靠性高的树脂密封型半导体装置、及其制造方法。本发明涉及一种电子部件密封用热固化性树脂片，其中，相对于全部树脂成分的热塑性树脂的含量为30重量％以下，该热固化性树脂片与形成于硅片上的硅氮化膜粘接并固化后的剪切粘接力在25℃时为15MPa以上、且在260℃时为2MPa以上，该热固化性树脂片与铜板粘接并固化后的剪切粘接力在25℃时为10MPa以上、且在260℃时为0.5MPa以上，该热固化性树脂片与玻璃布基材环氧树脂粘接并固化后的剪切粘接力在25℃时为10MPa以上、且在260℃时为1MPa以上。
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公开(公告)号：CN103531674A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310268817.2
申请日：2013-06-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/683 , B24B37/10
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/27
Abstract: 一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和基板，其中背面研磨包括：经由双面压敏粘合片将LED晶圆固定到工作台，然后研磨基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102898966A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210260856.3
申请日：2012-07-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/29 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及胶粘片及其用途。本发明提供在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时具有化学稳定性、并且物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有羧基并且不具有环氧基；热固性树脂；和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有具有两个以上酚羟基的苯环，并且能够与阳离子形成络合物。
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公开(公告)号：CN102413951A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018442.9
申请日：2010-04-13
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 宇圆田大介
IPC: B08B1/00 , H01L21/304
CPC classification number: B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C09J7/22
Abstract: 本发明提供一种异物去除性能及搬送性能优异，且可效率尤其良好地去除具有规定粒径的异物的清洁片及带有清洁功能的搬送构件。本发明的清洁片具备实质上不具有粘合力的清洁层，该清洁层具有平均表面粗糙度Ra为0.10μm以上的凹凸形状部分，并且该清洁层对硅晶圆的镜面的以JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力为小于0.20N/10mm。本发明的带有清洁功能的搬送构件具备搬送构件、设置在该搬送构件的至少单面的本发明的清洁层。
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公开(公告)号：CN100456432C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200580007540.1
申请日：2005-03-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B7/00
Abstract: 本发明目的在于提供一种半导体装置用清洁部件，其必定能够容易地清除粘附在半导体装置内部上的异物，可以带有清楚可读的批量管理用标记，以及可以在与晶圆盒的夹持部分接触时防止产生颗粒。一种半导体装置用清洁部件，其特征在于所述清洁部件包含晶圆1和形成于其至少一面的由通过热固化聚酰胺酸而形成的耐热树脂制成的清洁层2，以及所述清洁层2具有暴露出晶圆表面的部分12；以及特别地具有上述结构的半导体装置用清洁部件，其中清洁层2中暴露出晶圆表面的部分12是是将给定宽度的清洁层在整个环形区域中除去而得到的部分，所述给定宽度从所述晶圆的外边缘延伸向所述晶圆的中心。
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公开(公告)号：CN103725214B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201310464231.3
申请日：2013-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在冲压加工时防止由来自树脂片的树脂造成的加工用装置被污染。本发明的解决手段是提供一种层叠体，其具有支承体、在支承体的一部分上层叠的树脂片、和在树脂片上层叠的剥离片，支承体与树脂片之间的剥离力F1比树脂片与剥离片之间的剥离力F2大。
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公开(公告)号：CN102569263B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110370054.3
申请日：2011-11-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L25/0657 , C09J7/28 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06537 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/01063 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。
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