公开(公告)号：CN119365960A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380045601.1

申请日：2023-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·高希 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  S·S·奥哈 ,  P·P·杰哈 ,  程睿

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括以下步骤：将含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可被设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可限定沿着基板的一个或多个特征。所述方法可包括以下步骤：在处理区域内形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将含碳材料沉积到基板上。含碳材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。所述方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：用含氢前驱物的等离子体流出物处理含碳材料。含氢前驱物的等离子体流出物可导致含碳材料的一部分被从基板去除。

公开(公告)号：CN118231247A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410220896.8

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。

公开(公告)号：CN118020398A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280063651.8

申请日：2022-08-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·J·布扬 ,  沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过形成在基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。方法可包括在完全穿透形成在基板上的层堆叠之前中止蚀刻。方法可包括沿着基板上的层堆叠形成含碳材料层。含碳材料层可包括金属。方法可包括完全穿过基板上的层堆叠而蚀刻一个或多个特征。

公开(公告)号：CN117941039A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280062292.4

申请日：2022-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·J·布扬 ,  沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/32 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上形成含碳材料层。基板可包括第一介电材料的暴露区域和含金属材料的暴露区域。含碳材料层可在含金属材料的暴露区域上方选择性地形成。形成含碳材料层可包括提供与含金属材料选择性耦合的第一分子物质的一个或多个循环。形成含碳材料层可包括提供与第一分子物质选择性耦合的第二分子物质。方法可包括在第一介电材料的暴露区域上选择性沉积第二介电材料。

公开(公告)号：CN111566786B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201880084984.2

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。

公开(公告)号：CN108463870B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201780006715.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

公开(公告)号：CN109314079A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036827.X

申请日：2017-06-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  陈一宏 ,  K·陈 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768

Abstract: 描述了包括在基板表面的至少一个特征上形成膜的方法。所述膜被膨胀以填充所述至少一个特征并造成所述膜从至少一个特征的生长。也描述了形成自我对准通孔的方法。

公开(公告)号：CN119948598A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380069399.6

申请日：2023-09-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  王新科 ,  冀翔 ,  P·P·杰哈

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明技术的实施方式涉及半导体处理方法，所述半导体处理方法包括提供结构化半导体基板，所述基板包括具有底表面及顶表面的沟槽。所述方法进一步包括在沟槽的底表面上沉积含硅材料的一部分至少一个沉积周期，其中每一沉积周期包括：在沟槽的底表面和顶表面上沉积含硅材料的所述部分；在沟槽的底表面上的含硅材料上沉积含碳掩模层，其中所述含碳掩模层不形成在沟槽的顶表面上；从沟槽的顶表面移除所述含硅材料的所述部分；以及从沟槽的底表面上的含硅材料移除含碳掩模层，其中所沉积的含硅材料保留在沟槽的底表面上。

公开(公告)号：CN118077030A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280068199.4

申请日：2022-09-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物提供至半导体处理腔室的处理区。基板可设置在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括在处理区中形成含硼前驱物和含氮前驱物的等离子体。基板的温度可维持在小于或约500℃。方法可包括在基板上形成材料层。材料层可包括六方氮化硼。方法包括在基板上形成材料层达第一时段之后，中止含硼前驱物的递送。方法可包括维持含氮前驱物的流动达第二时段，以及在维持含氮前驱物的流动的同时增加等离子体功率。

公开(公告)号：CN117441224A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280040674.7

申请日：2022-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括在基板上沉积含硅材料。在第一时间段之后，所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含锗前驱物。所述方法可以包括使含硅前驱物和含锗前驱物在大于或约400℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅和锗的层。