公开(公告)号：CN110998782A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880053380.1

申请日：2018-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·A·克劳斯 ,  T·C·楚 ,  赵在龙

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越基板的处理结果的均匀性的图案的方式跨越基板支撑件而空间地布置。

公开(公告)号：CN116313912A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310271331.8

申请日：2017-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  纪丽丽 ,  O·朱伯特 ,  D·卢博米尔斯基 ,  P·A·克劳斯 ,  D·T·麦克科米克

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/544 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。

公开(公告)号：CN115799030A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211408065.0

申请日：2018-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·A·克劳斯 ,  T·C·楚 ,  赵在龙

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越基板的处理结果的均匀性的图案的方式跨越基板支撑件而空间地布置。

公开(公告)号：CN115699280A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180039779.6

申请日：2021-06-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·A·克里米诺儿 ,  郭智强 ,  P·A·克劳斯 ,  A·迈尔斯 ,  M·佩雷斯-古斯曼

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  G05B19/418 ,  H02J7/00 ,  H02J50/80 ,  H02J50/10

Abstract: 一种诊断盘，包括盘形主体，所述盘形主体具有升高壁和至少一个突出部，所述升高壁环绕盘形主体的内部，所述至少一个突出部从盘形主体向外延伸。盘形主体的升高壁限定盘形主体的空腔。非接触传感器附接至所述至少一个突出部中的每一者。印刷电路板(PCB)定位在盘形主体上形成的空腔内。耐真空和高温的功率源以及无线充电器和电路系统设置在PCB上，所述电路系统耦合至每个非接触传感器且包括至少无线通信电路和存储器。盖定位在盘形主体的空腔之上且将在空腔内的PCB、电路系统、功率源和无线充电器的至少一部分与外部环境屏蔽。

公开(公告)号：CN110998782B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201880053380.1

申请日：2018-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·A·克劳斯 ,  T·C·楚 ,  赵在龙

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越基板的处理结果的均匀性的图案的方式跨越基板支撑件而空间地布置。

公开(公告)号：CN110998783B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201880053387.3

申请日：2018-07-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  P·A·克劳斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 在本文中描述的实施例总体而言涉及等离子体辅助处理腔室或等离子体增强处理腔室。更具体地，在本文中的实施例涉及被配置为向基板提供脉冲DC电压的静电吸盘(ESC)基板支撑件，和在等离子体辅助半导体制造工艺或等离子体增强半导体制造工艺期间使用脉冲DC电压偏压基板的方法。

公开(公告)号：CN113994451A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080041800.1

申请日：2020-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·A·克劳斯 ,  A·K·萨布莱曼尼

IPC: H01J37/32 ,  H01B13/00 ,  H01B13/06 ,  H01B13/22

Abstract: 本公开公开内容的实施例总的来说涉及统一电导管，所述统一电导管包括中心导体，耦合至中心导体的第一端的插座，耦合至中心导体的第二端的公插件，环绕中心导体的介电护套，及环绕介电护套的外部导体，其中沿着其长度形成实质上90度的弯折。

公开(公告)号：CN113169022A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077353.2

申请日：2019-11-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·瓦茨 ,  H·俞 ,  P·A·克劳斯 ,  S·G·卡马斯 ,  W·J·杜兰德 ,  L·C·卡鲁塔拉格 ,  A·B·玛里克 ,  李昌陵 ,  D·帕德希 ,  M·J·萨利 ,  T·C·楚 ,  M·A·巴尔西努

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/458

Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。

公开(公告)号：CN110249407A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009994.X

申请日：2018-01-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·高 ,  P·A·克劳斯 ,  L·多尔夫 ,  P·古帕拉加

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了在等离子体反应器中用于可调节工件偏压的系统和方法。在一些实施例中，系统包含：等离子体腔室，所述等离子体腔室执行工件上的等离子体处理；第一脉冲电压源，所述第一脉冲电压源直接耦合至工件；第二脉冲电压源，所述第二脉冲电压源电容性地耦合至所述工件；以及偏压控制器，所述偏压控制器基于所述第一脉冲电压源和所述第二脉冲电压源的一个或更多个参数来独立地控制所述第一脉冲电压源和所述第二脉冲电压源，以便裁制被引导至所述工件的离子通量的离子能量分布。

公开(公告)号：CN109477219A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780045536.7

申请日：2017-08-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·萨布莱曼尼 ,  P·古帕拉加 ,  T-J·龚 ,  H·K·博尼坎帝 ,  P·A·克劳斯

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/18

Abstract: 本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系统减小沉积半导体基板所必要的时间，且减小处理半导体基板所需要的占用面积。在一个实现中，所述处理腔室包含设置在腔室主体中的气体分配平板、设置在所述腔室主体中的一个或更多个金属靶以及设置在所述气体分配平板和一个或更多个靶下方的基板支撑件。