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公开(公告)号：CN114258478A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080058346.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: G01J5/00 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 提供了用于处理基板的方法和设备。例如，设备可包括：处理腔室，包含腔室主体并具有观察端口，腔室主体界定处理容积，观察端口耦接到腔室主体；基板支撑件，设置在处理容积内并具有支撑基板的支撑表面；及红外温度传感器(IRTS)，设置在腔室主体外侧、邻近观察端口，以测量该基板正在处理容积中被处理时的温度，IRTS可相对于观察端口移动以通过观察端口扫描基板。
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公开(公告)号：CN110323120B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910482393.7
申请日：2015-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏蔽件的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽件，减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽件上。下屏蔽件亦包括将蚀刻的材料引导往狭槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽件上。
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公开(公告)号：CN107112262B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201580068865.4
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。
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公开(公告)号：CN109616428A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811129813.5
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。
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公开(公告)号：CN107210180A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009239.2
申请日：2016-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿拉维德·米亚尔·卡马斯 , 蔡振雄 , 贾勒帕里·拉维 , 松下智治 , 雨·常
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本文提供一种用于处理基板的设备。在一些实施方式中，基板支撑件包括具有支撑表面的主体；设置在主体中并靠近支撑表面的RF电极，以接收来自RF源的RF电流；用于支撑主体的轴；具有内部空间且延伸通过轴的导电元件，其中所述导电元件耦接至RF电极；以及RF垫片；其中所述导电元件包含啮合RF垫片以将RF电流返回到接地的特征。
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公开(公告)号：CN107112189A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071068.1
申请日：2015-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏蔽件的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽件，减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽件上。下屏蔽件亦包括将蚀刻的材料引导往狭槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽件上。
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公开(公告)号：CN105706351A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061349.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H02N13/00
CPC classification number: H01L21/6875 , H01L21/6831 , Y10T428/24298 , Y10T428/24314
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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公开(公告)号：CN2786784Y
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200420115729.5
申请日：2004-11-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 本实用新型提供了一种能够安装到处理室中底座上的静电吸盘。所述吸盘具有包括带嵌入电极的陶瓷体的静电圆盘。所述陶瓷体具有带环形外缘的衬底支撑表面。所述吸盘还具有在所述静电圆盘之下的基板，所述基板是陶瓷材料和金属的复合物。所述基板具有延伸到所述陶瓷体的外缘之外的环形凸缘。所述基板和静电圆盘可以由支撑底座来支撑，该支撑底座具有壳体和环形壁架，所述环形壁架从所述壳体向外延伸以安装到所述基板的所述环形凸缘。还可以设置具有嵌入热传递流体通道的热传递板。
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公开(公告)号：CN305627489S
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201930312679.1
申请日：2019-06-17
Applicant: 应用材料公司
Designer： 大卫·冈瑟 , 蔡振雄 , 希兰库玛·尼拉桑德拉·萨万戴亚
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：沉积环（用于物理气相沉积腔室）。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作用于物理气相沉积腔室的沉积环。
3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。
5.指定设计1为基本设计。 -
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