公开(公告)号：CN110637353A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032600.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·文哈弗贝克 ,  S·卡玛斯 ,  Z·王 ,  H·张 ,  江施施

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的实施方式整体涉及一种在小于250摄氏度的温度下处理半导体衬底的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：将具有沉积的膜的所述衬底装载到压力容器中；在大于约2巴的压力下将所述衬底暴露于包括氧化剂的处理气体；以及维持所述压力容器处于在所述处理气体的冷凝点与约250摄氏度之间的温度。

公开(公告)号：CN110476222A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023145.X

申请日：2018-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  江施施

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；处理所述可流动膜以形成Si-X膜，其中X＝C、O或N；以及固化所述可流动膜或所述Si-X膜以凝固所述膜。所述可流动膜可以通过使用更高阶的硅烷和等离子体形成。UV固化、或其他固化可以用于凝固所述可流动膜或所述Si-X膜。

公开(公告)号：CN111095524B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880058936.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·文哈弗贝克 ,  江施施

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔室、配置以执行衬垫沉积工艺以形成衬垫层的第二沉积腔室、配置以在衬垫层之上形成可流动介电层的第三沉积腔室、配置以将可流动氧化物层暴露于高压蒸气的退火腔室。

公开(公告)号：CN110431661B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880018782.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在所述保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大所述可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过所述保形硅沉积和所述可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现特征之间的无缝间隙填充。

公开(公告)号：CN113966412A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202080043118.6

申请日：2020-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/24 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了用于以低沉积速率沉积膜的PECVD方法，包括间歇性地活化等离子体。能够使用至少聚硅烷前驱物和等离子体气体以沉积可流动膜。公开的工艺的沉积速率可以小于

公开(公告)号：CN112385013A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980041177.7

申请日：2019-06-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/764

Abstract: 描述了用于在半导体基板上形成可流动碳层的方法。如本文中所述地向含碳前驱物施加局部激发(例如PECVD中的等离子体)以在基板上形成可流动碳膜。也已发现了远程激发方法，该远程激发方法通过以下步骤来产生可流动碳膜：激发稳定前驱物以产生自由基前驱物，该自由基前驱物接着在基板处理区域中与未激发的含碳前驱物结合。可选的后沉积等离子体暴露也可以在沉积之后固化或凝固可流动膜。也描述了用于使用本文中所述的可流动膜来形成气隙的方法。

公开(公告)号：CN111699549A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN111670487A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201980010034.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王非 ,  王苗君 ,  普拉米特·曼娜 ,  江施施 ,  阿卜希吉特·巴苏·马尔利克 ,  罗伯特·简·维瑟

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 于此提供于图案化基板的表面上选择性地沉积掩模层的方法和自对准图案化掩模。于一个实施方式中，选择性沉积掩模层的方法包括以下步骤：将图案化基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；将图案化基板的表面暴露于聚对二甲苯单体气体；于图案化基板上形成第一层，其中第一层包含图案化的聚对二甲苯层；和于第一层上沉积第二层。于另一实施方式中，自对准的图案化掩模包含聚对二甲苯层，聚对二甲苯层包含多个聚对二甲苯特征及多个开口，聚对二甲苯层设置于图案化基板上，图案化基板包含介电层及多个金属特征，多个金属特征包含聚对二甲苯沉积抑制剂金属，及多个聚对二甲苯特征选择性形成于介电层的介电表面上。

公开(公告)号：CN110476239A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880021521.1

申请日：2018-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  江施施

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

Abstract: 用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD来形成可流动膜；以反应性退火将可流动膜退火以形成经退火的膜；以及将可流动膜或经退火的膜硬化以固化此膜。可使用更高级硅烷与等离子体来形成可流动膜。反应性退火可使用甲硅烷或更高级硅烷。UV硬化或其他硬化可用于固化可流动膜或经退火的膜。

公开(公告)号：CN110431661A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880018782.8

申请日：2018-03-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在所述保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大所述可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过所述保形硅沉积和所述可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现特征之间的无缝间隙填充。