高性能钽靶材的热轧工艺
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102989767B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201210291462.4

    申请日:2012-08-16

    CPC classification number: C23C14/3414

    Abstract: 本发明涉及一种高性能钽靶材的热轧工艺,该方法首先将锻造坯料预热至900-1200℃,然后轧制,酸洗至钽金属光泽无杂斑即可。本发明通过对加热轧制生产高性能钽靶材轧制坯料,利用该高性能轧制坯料可获得靶材厚度方向(100)织构占优的织构组分(所占比例在50%以上),并且均匀一致,满足高端溅射基台使用要求的高性能钽靶材,与普通钽靶材相比较,高性能钽靶材不但实现了靶材厚度方向(100)织构达到50%以上的织构组分,而且对织构均匀性也提出更高的要求,从而确保了在使用中溅射速率一致。

    一种钽靶材及其制备方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104451567A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410833093.6

    申请日:2014-12-29

    CPC classification number: C23C14/3407 C22F1/18

    Abstract: 本发明提供了一种钽靶材及其制备方法,包括以下步骤,首先将钽锭经过第一次锻造后,得到一次锻造坯料;然后将上述步骤得到的一次锻造坯料经过第二次锻造和第一次热处理后,得到二次锻造坯料;再将上述步骤得到的二次锻造坯料经过第三次锻造和第二次热处理后,得到三次锻造坯料;再将上述步骤得到的三次锻造坯料经过第四次锻造和第三次热处理后,得到四次锻造坯料;最后将上述步骤得到的四次锻造坯料经过轧制和第四次热处理后,得到钽靶材;所述第一次锻造为旋转锻造;所述第一次锻造的温度为800~1400℃。本发明制备的钽靶材织构分布均匀、晶粒尺寸小,能够符合高端半导体镀膜行业的使用要求。

    一种制备铌靶材的方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103757592A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410054777.6

    申请日:2014-02-19

    Abstract: 本发明提供了一种制备铌靶材的方法,包括以下步骤:a)将铌锭进行热处理,将热处理后的铌锭钻孔;b)将步骤a)得到的铌锭的内表面与外表面包覆第一金属材料,将得到的铌锭抽真空;c)将步骤b)得到的铌锭的内表面和外表面包覆第二金属材料;d)将步骤c)得到的铌锭进行热挤压。本申请在制备铌靶材的过程中,通过在铌锭的内表面与外表面依次包覆第一金属材料于第二金属材料,有效地避免了铌靶材在制备过程中的吸氢吸氧,并且易于铌靶材的加工。

    一种大规格钽靶材的锻造方法

    公开(公告)号:CN102658346A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210098935.9

    申请日:2012-04-06

    Abstract: 一种大规格钽靶材的锻造方法,是采用打方拔长、打圆、镦粗锻造手段、中间配合热处理的方法,实现大规格钽靶材的均质化;具体步骤之一为:第一步,打方拔长;第二步,定尺锯料,根据最终成品的2~2.5倍重量计算,锯料;第三步,酸洗;第四步,热处理,热处理温度为钽材料熔点的25%-50%,保温时间为60~150min;第五步,二次锻造,镦粗,在镦粗时,上下平面涂润滑油;第六步,酸洗,同第三步;第七步,热处理,同第四步,第八步,三次锻造,打圆,用精锻机对坯料进行找圆。

    溅射钽环件用钽条的制备工艺

    公开(公告)号:CN101920436B

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201010258809.6

    申请日:2010-08-20

    Abstract: 本发明涉及一种溅射钽环件用钽条的制备工艺,其工艺过程为:首先将钽料采用先打方再拍扁的方式锻造,随后在1000℃~1100℃温度条件下热处理,保温时间60min~120min,采用换向轧制发开坯轧制,在1000℃~1100℃温度条件下进行第二次热处理,保温时间60min~120min,采用单项单向轧制进行成品轧制,最后在1200℃~1400℃温度条件下进行第三次热处理,保温时间120min~180min ,校平下料即得。本发明可以将材料利用率提高6个百分点,由于简化了加工工艺,可以提高产品的加工效率,同时由于压力加工的工序要求易于操作、控制,工艺的一致性容易保证,产品的材料性能一致性也容易保证。

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