-
公开(公告)号：CN113529043A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110089203.2
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积系统和方法，本公开的沉积系统提供透过延长靶材替换间隔来降低溅镀制程成本的特征。沉积系统提供磁性元件的阵列，此磁性元件的阵列会产生磁场并基于靶材厚度测量数据来重新定向磁场。阵列中的至少一个磁性元件会倾斜以调节或改变磁场方向并使磁场聚焦在靶材的一个区域上，其中此区域具有比其他区域更多的靶材材料。因此，在此区域上会发生更多的离子(例如，氩离子)轰击，以在靶材表面上产生更均匀的侵蚀。
-
公开(公告)号：CN113053857A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110035145.5
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L49/02 , H01L23/522
Abstract: 本发明针对用于制造具有金属电极的MiM电容器结构的方法，金属电极具有富氮金属氮化物层。该方法包括在设置在衬底上的第一互连层上沉积第一电极双层，其中第一电极双层包括具有不同氮浓度的第一层和第二层。该方法还包括在第一电极双层上沉积介电层，以及在第一互连层上沉积第二电极双层，其中第二电极包括具有不同氮浓度的第三层和第四层。该方法还包括图案化第一电极双层、介电层和第二电极双层以在第一互连层上形成电容器结构。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN112542422A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010906289.9
申请日：2020-09-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L29/78
Abstract: 形成半导体器件的方法包括蚀刻介电层以在介电层中形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的金属层，对金属层实施氮化工艺以将金属层的部分转换为金属氮化物层，对金属氮化物层实施氧化工艺以形成金属氮氧化物层，去除金属氮氧化物层，并且使用自底向上沉积工艺将金属材料填充至沟槽中以形成接触插塞。本申请的实施例还涉及半导体器件。
-
公开(公告)号：CN110965033A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910926708.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种物理气相沉积设备及其方法。物理气相沉积方法包括使靶材的背侧上方的第一磁性体倾斜。绕着延伸穿过靶材的轴线移动第一磁性体。随后，吸引带电离子以轰击靶材，使得粒子自靶材射出并沉积在晶圆的表面上方。通过使磁性体相对于靶材倾斜，磁场的分布可更加随机及均匀。
-
公开(公告)号：CN109841539A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811074399.2
申请日：2018-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 提供一种在一制造设施中的错误检测的方法。上述方法包括利用一传送设备移动一晶圆载具。上述方法还包括利用一测量工具测量晶圆载具内的一环境因子或者晶圆载具周围的一环境因子。测量工具在晶圆载具移动期间放置于晶圆载具之上。上述方法还包括当所测量的环境因子超出一可接受数值范围时，发出一警示。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768013A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810178766.7
申请日：2018-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例公开了鳍式场效应晶体管器件以及用于调整鳍式场效应晶体管器件的阈值电压的方法。示例性方法包括在第一栅极结构中形成第一开口，并且在第二栅极结构中形成第二开口。第一栅极结构设置在第一鳍结构上方，并且第二栅极结构设置在第二鳍结构上方。该方法还包括通过以下步骤填充第一开口和第二开口：形成栅极介电层，在栅极介电层上方形成阈值电压调整层，回蚀第二开口中的阈值电压调整层，在阈值电压调整层上方形成功函层以及在功函层上方形成金属填充层。阈值电压调整层包括钽和氮。回蚀使用含氯化钨的前体。
-
公开(公告)号：CN108987254A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711206711.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 一种制造半导体结构的方法，包含沉积介电层于栅极堆叠上，移除一部分的栅极堆叠以于介电层中形成沟槽，沉积绝缘层于沟槽内，沉积粘着层于绝缘层上，以及于粘着层上执行含氢等离子处理。
-
公开(公告)号：CN106245003A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510827051.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , C23C16/45565 , C23C16/5096
Abstract: 提供了一种在沉积设备中使用的气体分配器。该气体分配器包括喷头，喷头包括多个孔；以及掩模层，形成在喷头的表面上，其中孔穿透穿过掩模层。还公开了使用气体分配器的沉积设备。
-
公开(公告)号：CN104733298A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410075694.5
申请日：2014-03-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0673 , H01L29/66545
Abstract: 本发明提供了具有金属栅极的半导体结构及其制造方法。用于制造金属栅极结构的方法，包括：在栅极沟槽中形成高k介电层；在高k介电层上方形成蚀刻停止层；通过经由原子层沉积（ALD）操作形成具有晶界工程层、掺杂层以及覆盖层的顺序的三层，在蚀刻停止层上方形成功函调整层，晶界工程层被配置为允许掺杂剂原子渗透穿过，掺杂层被配置为将掺杂剂原子提供给晶界工程层，并且覆盖层被配置为防止掺杂层氧化；以及填充金属，以使栅极沟槽填平。在诸如约200摄氏度至约350摄氏度的各个温度下，通过ALD操作来制备晶界工程层。
-
公开(公告)号：CN113314611B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202110318514.1
申请日：2021-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开针对具有低水平的泄漏电流和低功耗的全环栅(GAA)晶体管结构。例如，GAA晶体管包括在其上设置有第一源极/漏极(S/D)外延结构和第二S/D外延结构的半导体层，其中第一和第二S/D外延结构被半导体纳米片层隔开。半导体结构还包括插入在半导体层与第一和第二S/D外延结构中的每一个之间的隔离结构。GAA晶体管还包括围绕半导体纳米片层的栅极堆叠。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.04 seconds)
