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公开(公告)号：CN107026132A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611202573.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/66 , H01L21/6835 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L24/00 , H01L25/18 , H01L2223/6677 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q5/385 , H01Q7/00 , H01L23/31 , H01L21/561 , H01Q23/00
Abstract: 本发明的实施例公开了一种多输出封装件结构。多输出封装件结构包括天线主体；再分布层(RDL)；以及RDL中的天线辅助体。还公开了一种天线系统。天线系统包括：天线主体，布置为提供第一共振；以及天线辅助体，布置为通过寄生耦合至天线主体提供第二共振。还公开了一种相关联的半导体封装方法。
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公开(公告)号：CN102468290A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110358379.X
申请日：2011-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/64
CPC classification number: H01L33/64 , H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 一种装置，包括其中具有多个开口的晶片。对于每个开口，LED器件以使得每个连接的LED器件和导电载体的一部分至少部分地填充开口的方式连接至导电载体和晶片。制造LED器件的方法包括：在晶片中形成多个开口。该方法还包括将发光二极管(LED)连接至导电载体。LED器件和导电载体至少部分地填充每一个开口。
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公开(公告)号：CN120030958A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510119111.2
申请日：2025-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括具有光波导的光中介层；多个芯片堆叠件，设置在所述光中介层上方，所述多个芯片堆叠件中的每个都包括第一光子IC芯片和位于所述第一光子IC晶圆上方的存储芯片；以及分别与所述多个芯片堆叠件相邻设置的多个第一激光源芯片，其中，所述光中介层中的光波导被配置为光学互连结构，以通过所述第一光子IC芯片与所述存储芯片耦合。本公开的实施例还提供了一种制造集成电路(IC)结构的方法。
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公开(公告)号：CN112864119B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011361227.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H10B80/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
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公开(公告)号：CN111799227B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010242219.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/31
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中，方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱；将第一管芯附接至第一再分布结构，第一管芯包括第二导电柱；在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯；用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯；在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构；并且将第三管芯接合至第一再分布结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107437453B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710389476.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种堆叠线圈结构，包括第一包封层和在第一包封层中的第一线圈。第一包封层的顶面与第一线圈的顶面共平面，并且第一包封层的底面与第一线圈的底面共平面。在第一包封层上方形成第二包封层。导电通孔在第二包封层中，并且第一导电通孔电耦合至第一线圈。第三包封层位于第二包封层上方。第二线圈在第三包封层中。第三包封层的顶面与第二线圈的顶面共平面，并且第三包封层的底面与第二线圈的底面共平面。本发明的实施例还提供了一种形成堆叠线圈结构的方法。
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公开(公告)号：CN103855126B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201310069494.4
申请日：2013-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设置的材料层中形成该保护环。
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公开(公告)号：CN107437453A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710389476.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种堆叠线圈结构，包括第一包封层和在第一包封层中的第一线圈。第一包封层的顶面与第一线圈的顶面共平面，并且第一包封层的底面与第一线圈的底面共平面。在第一包封层上方形成第二包封层。导电通孔在第二包封层中，并且第一导电通孔电耦合至第一线圈。第三包封层位于第二包封层上方。第二线圈在第三包封层中。第三包封层的顶面与第二线圈的顶面共平面，并且第三包封层的底面与第二线圈的底面共平面。本发明的实施例还提供了一种形成堆叠线圈结构的方法。
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公开(公告)号：CN107026094A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710057578.4
申请日：2017-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/58 , H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种线圈结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，所述方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。
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公开(公告)号：CN107026093A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710057555.3
申请日：2017-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例揭露一种封装件及方法。其中，所述封装件包括装置裸片；以及囊封材料，囊封所述装置裸片于其中。所述囊封材料具有顶部表面，其与所述装置裸片的顶部表面共平面。线圈是从所述囊封材料的所述顶部表面延伸到所述囊封材料的底部表面，以及所述装置裸片在所述线圈所圈绕的区中。至少一个介电层形成于所述囊封材料以及所述线圈上方。多个重布线在所述至少一个介电层中。所述线圈通过所述重布线电耦合到所述装置裸片。
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