公开(公告)号：CN103247602B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210203689.9

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  江木吉 ,  吴燿光 ,  吴璧雰 ,  林焕哲 ,  陆晓慈 ,  黄惠琪

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括：设置在第一器件区中的第一器件，该第一器件包括第一栅极结构、在该第一栅极结构的侧壁上形成的第一栅极间隔件以及第一源极和漏极部件；以及设置在第二器件区中的第二器件，该第二器件包括第二栅极结构、在该第二栅极结构的侧壁上形成的第二栅极间隔件以及第二源极和漏极部件。该半导体器件还包括设置在第一和第二栅极间隔件上的接触蚀刻终止层(CESL)以及设置在第一和第二源极和漏极部件上的互连结构。该互连结构与第一和第二源极和漏极部件电接触并且与CESL相接触。本发明提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103367407A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210418806.3

申请日：2012-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  陈桂顺 ,  江木吉

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括在衬底上方形成的不通电的伪栅极。伪栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。半导体器件包括在衬底上方形成的第一功能栅极。第一功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第一功能栅极在与第一方向垂直的第二方向上与伪栅极分离。第一导电接触件形成在第一功能栅极上。半导体器件包括在衬底上方形成的第二功能栅极。第二功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第二功能栅极在第一方向上与伪栅极对准并且与伪栅极物理分离。第二导电接触件形成在第二功能栅极上。本发明提供了不通电的伪栅极。

公开(公告)号：CN103165415A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210213759.9

申请日：2012-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘家助 ,  梁铭彰 ,  江木吉 ,  陈桂顺

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10826 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在提供的衬底上形成多个线元件。所述多个线元件包括：第一线元件，具有第一宽度的第一区和第二宽度的偏移区。所述第二宽度不同于所述第一宽度。然后形成与多个线部件中的包括偏移区的每一个的侧壁邻接的间隔元件，在偏移区所述间隔元件可被移位。在形成所述间隔元件后，从所述衬底去除从衬底开始的所述多个线元件。在去除所述多个线元件后使用所述间隔元件蚀刻下面的层。本发明还公开了具有偏移部件的半导体器件。

公开(公告)号：CN100470841C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610066934.0

申请日：2006-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 季明华 ,  江文铨 ,  江木吉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效晶体管的晶体管元件，本发明揭露了于块状硅材上的的的类平面互补金氧半导体及鳍式场效晶体管的晶体管元件。第一晶体管具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的的侧壁上。第二晶体管则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三晶体管具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统晶体管及本发明的类鳍式场效晶体管的晶体管元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。

公开(公告)号：CN222653957U

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202421129245.X

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡国强 ,  叶震亚 ,  江木吉

IPC: H01L23/528 ,  H10D64/20 ,  H10D84/85

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置结构，所述结构包括第一源极/漏极部件、设置在第一源极/漏极部件上方的第一层间介电层、延伸穿过第一层间介电层且与第一源极/漏极部件电性接触的第一导电部件，其中第一导电部件相对于半导体装置结构的平面图具有L形轮廓。所述结构还包括延伸穿过第一层间介电层且邻近第一导电部件设置的栅极电极层，其中第一导电部件的顶表面与栅极电极层的顶表面为实质上共平面。