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公开(公告)号：CN113314549B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010706218.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种具有设置在衬底内的光电探测器的图像传感器。衬底具有前侧表面及后侧表面。吸收增强结构沿衬底的后侧表面设置且上覆在光电探测器上。吸收增强结构包括从衬底的后侧表面向外延伸的多个突起。所述多个突起中的每一突起包括相对的弯曲侧壁。
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公开(公告)号：CN112542475B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201911337191.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例是针对一种像素传感器，包含在光检测器之下的虚设垂直晶体管结构。像素传感器包含衬底，具有与背侧表面相对的前侧表面。光检测器安置于衬底内。深沟槽隔离(DTI)结构从衬底的背侧表面延伸到背侧表面下方的第一点。深沟槽隔离结构环绕光检测器的外周。虚设垂直晶体管结构在深沟槽隔离结构的内侧壁之间横向间隔开。虚设垂直晶体管结构包含虚设垂直栅极电极，具有虚设导电体和虚设包埋导电结构。虚设包埋导电结构从衬底的前侧表面延伸到第一点垂直上方的第二点且虚设导电体沿衬底的前侧表面延伸。
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公开(公告)号：CN113809041B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202011433089.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H10B12/00 , H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器、一种具有金属‑绝缘体‑金属电容器的集成半导体装置以及其制造方法。所述金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一金属层、第二金属层以及位于第二金属层与第一金属层之间的介电层。第一金属层、第二金属层以及介电层可形成梳状结构，其中所述梳状结构包含第一齿结构和至少一个第二齿结构。
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公开(公告)号：CN114335034A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110250032.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括：下部部分，布置在衬底之上；以及上部部分，布置在下部部分之上。下部部分包含第一材料，且上部部分包含具有比第一材料低的反射率的第二材料。
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公开(公告)号：CN113451339A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110037315.3
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器结构。所述图像传感器结构包括衬底。衬底包括第一侧及与第一侧相对的第二侧。光电探测器延伸到衬底的第一侧中。隔离结构包括延伸穿过衬底的第一隔离段及第二隔离段。第一隔离段与第二隔离段分别位于光电探测器的相对的侧上且包含介电质。第一金属线位于衬底的第一侧上。虚设接触结构包括第一虚设段及第二虚设段。第一虚设段及第二虚设段二者均包含金属且从第一金属线分别延伸到第一隔离段及第二隔离段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427834A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810926989.7
申请日：2018-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法。本揭露涉及一种半导体装置，其包含半导体衬底及所述半导体衬底上方的栅极结构。所述半导体衬底包含邻近所述栅极结构的光敏区，且所述栅极结构经配置以存储从所述光敏区产生的电荷。所述半导体装置还包含在所述半导体衬底上方的导电结构。所述导电结构外接所述栅极结构的侧壁且与所述栅极结构的所述侧壁隔开。
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公开(公告)号：CN102956821B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201210128336.7
申请日：2012-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种相变化存储器及其制备方法，特别是精细节距相变化随机存取存储器(phase change random access memory，PCRAM)设计以及其制备方法。在一实施例中，一相变化存储器(phase change memory，PCM)单元包括一间隔物，上述间隔物定义了一矩形的反应区以及一配置于上述反应区中的相变化材料层。上述相变化存储器单元还包括一保护层配置于锗锑碲(germanium antimony tellurium，GST)薄膜层之上，以及配置于上述被间隔物所定义的区域之内，且一盖层配置于上述保护层以及上述间隔物之上。本发明能够缩减相变化存储器单元的实际反应区域的尺寸。
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公开(公告)号：CN104347645A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310456351.9
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN102956821A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210128336.7
申请日：2012-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明公开一种相变化存储器及其制备方法，特别是精细节距相变化随机存取存储器(phase change random access memory，PCRAM)设计以及其制备方法。在一实施例中，一相变化存储器(phase change memory，PCM)单元包括一间隔物，上述间隔物定义了一矩形的反应区以及一配置于上述反应区中的相变化材料层。上述相变化存储器单元还包括一保护层配置于锗锑碲(germanium antimony tellurium，GST)薄膜层之上，以及配置于上述被间隔物所定义的区域之内，且一盖层配置于上述保护层以及上述间隔物之上。本发明能够缩减相变化存储器单元的实际反应区域的尺寸。
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公开(公告)号：CN221262380U
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202322202078.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供一种集成电路器件。集成电路器件包括半导体衬底、在所述半导体衬底中的多个光探测区域及在所述半导体衬底中的隔离结构。隔离结构在所述多个光探测区域之间延伸并且具有垂直轮廓，其包括在垂直向上彼此间隔的多个转折节点。所述多个转折节点包括上部以及下部，其中，在所述上部，所述垂直轮廓随着深度的增加而变窄，且在所述上部中，所述垂直轮廓的侧壁角度随着深度的增加而逐渐变平缓，在所述下部，所述侧壁角度不变或随着深度的增加逐渐变陡峭。
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