公开(公告)号：CN113889457A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110736326.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施宏霖 ,  吴尉壮 ,  杨世匡 ,  林杏芝 ,  刘人诚

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明涉及一种集成芯片。该集成芯片包括半导体器件，沿着半导体衬底的第一侧布置。半导体衬底包括从半导体衬底的第一侧延伸至相对的半导体衬底的第二侧的一个或者多个侧壁。介电衬垫衬在半导体衬底的一个或者多个侧壁上。贯穿衬底通孔(TSV)布置在一个或者多个侧壁之间，并且通过介电衬垫与半导体衬底分隔开。TSV具有在距第二侧第一距离处的第一宽度，和在距第二侧第二距离处的第二宽度。第一宽度小于第二宽度，并且第一距离小于第二距离。本申请的实施例提供了集成芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN113161420A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110008411.5

申请日：2021-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈春元 ,  王俊智 ,  曾晓晖 ,  刘人诚 ,  施俊吉 ,  丁世泛 ,  吴尉壮 ,  江彦廷 ,  廖家庆 ,  陈彦瑜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。

公开(公告)号：CN113078175A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010863694.7

申请日：2020-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  吴尉壮 ,  陈彦瑜 ,  余治宽

IPC: H01L27/146

Abstract: 一些实施例针对图像传感器器件。光电探测器设置在半导体衬底中，并且传输晶体管设置在光电探测器上方。传输晶体管包括传输栅极，该传输栅极具有在半导体衬底的前侧上方延伸的横向部分和延伸至半导体衬底的前侧下方第一深度的垂直部分。栅极电介质将横向部分和垂直部分与半导体衬底分隔开。背侧沟槽隔离结构从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底的前侧下方第二深度。背侧沟槽隔离结构横向围绕光电探测器，并且第二深度小于第一深度，使得传输晶体管的垂直部分的最下部与背侧沟槽隔离结构的最上部具有垂直重叠。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的形成方法。

公开(公告)号：CN106252323B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201510736308.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江彦廷 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  曾晓晖 ,  王明璁 ,  丁世汎 ,  吴尉壮

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的焊盘结构。半导体衬底布置在后道工序(BEOL)金属化堆叠件上方，并且包括划线开口。缓冲层衬垫划线开口。导电焊盘包括基区和突出区。基区布置在划线开口中的缓冲层上方，并且突出区从基区伸至BEOL金属化堆叠件中。介电层填充导电焊盘上方的划线开口，并且与半导体衬底的上表面大致齐平。此外，本公开提供了一种制造焊盘结构的方法以及CMOS图像传感器。