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公开(公告)号：CN106486531A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510859637.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，包括具有第一边缘的过渡金属二硫化物层，此第一边缘具有锯齿状原子配置。金属材料具有与过渡金属二硫化物层重叠的部分。金属材料具有与过渡金属二硫化物层的第一边缘接触的第二边缘。藉由形成接触过渡金属二硫化物层的金属边缘的接触插塞，接触电阻显著减少。另一方面，过渡金属二硫化物层的半导电边缘可用于某些地方(诸如栅电极的下方)，以减少漏电流。
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公开(公告)号：CN103050533B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210293400.7
申请日：2012-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823431 , H01L21/265 , H01L21/31111 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/088 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/06 , H01L29/66818 , H01L29/78 , H01L29/7853 , H01L29/7854
Abstract: 一种半导体装置，包括：具有成型鳍和规则鳍的鳍式场效晶体管(FinFET)。成型鳍的顶部可以小于、大于、薄于、或短于规则鳍的顶部。成型鳍的底部和规则鳍的底部相同。FinFET可以具有仅一个或多个成型鳍、一个或多个规则鳍、或成型鳍和规则鳍的混合。将一个鳍成型的半导体制造工艺包括：形成一个鳍的光刻开口，可选地掺杂鳍的一部分，以及蚀刻鳍的一部分。本发明还提供了一种用于三维晶体管应用的采用等离子体掺杂和蚀刻的选择性鳍成形工艺。
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公开(公告)号：CN101312191B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710186918.X
申请日：2007-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/092 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7846
Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含：半导体衬底；开口，位于上述半导体衬底中；半导体层，位于上述开口中，并覆盖上述开口的底部与侧壁，其中上述半导体层与上述半导体衬底包含不同的材料；以及介电材料，位于上述半导体层上，并填入上述开口的剩余部分。本发明能够提高作用于金属氧化物半导体装置的沟道区的应力并减少应力松弛效应。
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公开(公告)号：CN109525232B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201711286017.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明的实施例涉及一种半导体器件包括：用于提供第一电位的第一电位供应线，用于提供比第一电位低的第二电位的第二电位供应线，功能电路，以及设置在第一电位供应线和功能电路之间的第一开关和设置在第二电位供应线和功能电路之间的第二开关中的至少一个。第一开关和第二开关是负电容FET。
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公开(公告)号：CN109728089B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201810178648.6
申请日：2018-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在制造负电容结构的方法中，在衬底上方形成介电层。在介电层上方形成第一金属层。在形成第一金属层之后，实施退火操作，接着进行冷却操作。形成第二金属层。在冷却操作之后，介电层变成包括斜方晶相的铁电介电层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110838444A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910122301.4
申请日：2019-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 叶凌彦
IPC: H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/775 , H01L29/78 , B82Y10/00
Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成鳍结构。雕刻鳍结构以具有多个未蚀刻部分和多个蚀刻部分，其中，多个蚀刻部分具有比多个未蚀刻部分更窄的宽度。氧化雕刻的鳍结构，从而分别在多个未蚀刻部分中形成多条纳米线，并且氧化多个蚀刻部分以形成氧化物。通过去除氧化物释放多条纳米线。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN106560924B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201510853099.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/24 , H01L21/8256
Abstract: 本发明是关于具有不同厚度过渡金属二硫属化物层的装置和制造方法。根据本发明的一实施例为一种结构，其包含：在衬底的第一区中的第一有源装置，所述第一有源装置包含二维(2‑D)材料的第一层，所述第一层具有第一厚度；和在所述衬底的第二区中的第二有源装置，所述第二有源装置包含所述2‑D材料的第二层，所述第二层具有第二厚度，所述2‑D材料包含过渡金属二硫属化物TMD，所述第二厚度与所述第一厚度不同。
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公开(公告)号：CN109728090A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810179262.7
申请日：2018-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种负电容器件包括半导体层。界面层设置在半导体层上方。非晶介电层设置在界面层上方。铁电层设置在非晶介电层上方。金属栅电极设置在铁电层上方。如下条件中的至少一个成立：界面层为掺杂的；非晶介电层具有氮化外表面；扩散阻挡层设置在非晶介电层和铁电层之间；或晶种层设置在非晶介电层和铁电层之间。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109728089A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810178648.6
申请日：2018-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在制造负电容结构的方法中，在衬底上方形成介电层。在介电层上方形成第一金属层。在形成第一金属层之后，实施退火操作，接着进行冷却操作。形成第二金属层。在冷却操作之后，介电层变成包括斜方晶相的铁电介电层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN109585287A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810671100.5
申请日：2018-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L27/06
Abstract: 在电路的形成方法中，电路包含金属氧化物半导体场效晶体管区中的金属氧化物半导体场效晶体管，以及负电容场效晶体管区中的负电容场效晶体管。此方法包括形成介电层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的通道层上。形成第一金属层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的介电层上。在形成第一金属层之后，只在负电容场效晶体管区中进行退火步骤。在退火步骤之后，自金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区移除第一金属层。退火步骤包括以能量束照射负电容场效晶体管区中的第一金属层与介电层。
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